[發明專利]半導體封裝結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202110257627.5
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN113206070A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 葉上暐;張謙維;黃敏龍
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/31;H01L23/498;H01L21/50
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：

中介層，具有上表面；

重分布線(RDL)，位于所述中介層的所述上表面上；

硅光芯片，位于所述重分布線上；

第一管芯，與所述硅光芯片橫向偏移并具有朝上的主動表面，并且所述第一管芯內埋于所述中介層的所述上表面下方的腔體內，其中，所述第一管芯的主動表面通過所述重分布線與所述硅光芯片電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一管芯還具有與所述主動表面相對設置的非主動表面，其中，所述非主動表面通過管芯粘接膜(DAF)貼附與所述中介層的所述腔體內。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，

所述腔體的寬度大于所述第一管芯的寬度。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，

所述腔體的寬度比所述第一管芯的寬度大凸塊(bump)金屬尺寸的2/3。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括：

扇出封裝件，設置于所述重分布線和所述第一管芯上方，所述扇出封裝件包括堆疊的多層管芯；

其中，所述多層管芯中的最下層中的第二管芯與所述第一管芯相對設置并電連接。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，

所述扇出封裝件的所述多層管芯還包括位于所述第二管芯上方的第三管芯，并且，所述扇出封裝件還具有與所述第三管芯電連接的重分布線和在所述扇出封裝件內垂直延伸的導電柱，

其中，所述第三管芯通過所述扇出封裝件內的所述重分布線和所述導電柱以及穿過所述中介層的貫通孔(TSV)與所述硅光芯片電連接。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第三管芯包括堆疊設置的多個所述第三管芯。

8.根據權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第二管芯包括快速存取存儲器管芯，所述第三管芯包括非快速存取存儲器管芯。

9.根據權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述扇出封裝件通過凸塊金屬與所述中介層電連接。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一管芯包括處理器管芯和緩存管芯。