[發明專利]基于基片集成波導饋電的毫米波段超寬帶貼片天線在審
| 申請號： | 202110257293.1 | 申請日： | 2021-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN112952372A | 公開（公告）日： | 2021-06-11 |
| 發明（設計）人： | 姜彥南;臧照龍;王嬌;趙海鵬 | 申請（專利權）人： | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號： | H01Q1/38 | 分類號： | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/36;H01Q21/00;H01Q21/06;H01Q1/48 |
| 代理公司： | 桂林文必達專利代理事務所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人： | 白洪 |
| 地址： | 541004 廣西*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 集成 波導 饋電 毫米 波段 寬帶 天線 | ||
1.一種基于基片集成波導饋電的毫米波段超寬帶貼片天線，其特征在于，
包括上層介質基板、下層介質基板、第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層，所述第一金屬層、所述上層介質基板、所述第二金屬層、所述下層介質基板和所述第三金屬層從上至下依次設置；
所述第一金屬層為對稱設置的矩形貼片陣列，所述矩形貼片陣列包括中心貼片組、第一附屬貼片組和第二附屬貼片組，共由14片貼片構成，所述中心貼片組包括6片貼片，6片所述貼片呈2×3陣列排布，所述第一附屬貼片組設置在所述中心貼片組的兩側，所述第二附屬貼片組設置在所述第一附屬貼片組遠離所述中心貼片組的側方。
2.如權利要求1所述的基于基片集成波導饋電的毫米波段超寬帶貼片天線，其特征在于，
相鄰所述貼片長邊之間的間隔距離相同，所述第一附屬貼片組和所述第二附屬貼片組中貼片的寬度相同，并小于所述中心貼片組貼片的寬度。
3.如權利要求2所述的基于基片集成波導饋電的毫米波段超寬帶貼片天線，其特征在于，
所述上層介質基板與所述下層介質基板的寬度相同，所述上層介質基板的厚度小于所述下層介質基板的厚度，且所述上層介質基板的長度小于所述下層介質基板的長度。
4.如權利要求3所述的基于基片集成波導饋電的毫米波段超寬帶貼片天線，其特征在于，
所述下層介質基板開設有若干個通孔，所述通孔在所述下層介質基板上圈出一個開路的類梯形區域，形成SIW諧振腔。
5.如權利要求4所述的基于基片集成波導饋電的毫米波段超寬帶貼片天線，其特征在于，
所述SIW諧振腔的上表面設置有耦合縫隙，所述耦合縫隙呈長條形狀，所述耦合縫隙靠近且平行于所述SIW諧振腔的短路長邊。
6.如權利要求5所述的基于基片集成波導饋電的毫米波段超寬帶貼片天線，其特征在于，
所述基于基片集成波導饋電的毫米波段超寬帶貼片天線還包括背地共面波導，所述背地共面波導與所述SIW諧振腔固定連接，并位于所述SIW諧振腔的下表面，所述背地共面波導的一端延伸至所述下層介質基板的邊緣。
7.如權利要求6所述的基于基片集成波導饋電的毫米波段超寬帶貼片天線，其特征在于，
所述背地共面波導包括中心導帶和兩處縫隙，所述中心導帶設置在所述下層介質基板的邊緣中部，兩處所述縫隙分別位于所述中心導帶的側方。
8.如權利要求7所述的基于基片集成波導饋電的毫米波段超寬帶貼片天線，其特征在于，
所述基于基片集成波導饋電的毫米波段超寬帶貼片天線還包括過渡帶，所述過渡帶連接所述SIW諧振腔和所述背地共面波導，并位于所述SIW諧振腔的下表面。
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