[發(fā)明專利]自校準(zhǔn)晶振驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110256568.X | 申請日: | 2021-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN113014249A | 公開(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐挺;雷紅軍 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州華芯微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H03L3/00 | 分類號: | H03L3/00;H03H9/19;H03L5/00 |
| 代理公司: | 蘇州三英知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32412 | 代理人: | 錢超 |
| 地址: | 215011 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 校準(zhǔn) 驅(qū)動(dòng) 系統(tǒng) | ||
1.一種自校準(zhǔn)晶振驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),其特征在于,所述自校準(zhǔn)晶振驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)包括:
晶振元件,用于輸出振蕩信號;
驅(qū)動(dòng)模塊,與晶振元件相連,用于通過調(diào)節(jié)正反饋和負(fù)反饋的強(qiáng)度以輸出維持晶振元件振蕩的增益;
峰值檢測模塊,與晶振元件相連,用于對晶振元件的振蕩信號進(jìn)行峰值檢測并輸出直流信號;
比較反饋模塊,連接峰值檢測模塊和驅(qū)動(dòng)模塊,用于通過分析直流信號來輸出調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)模塊的尾電流的信號從而調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)模塊的輸出增益。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自校準(zhǔn)晶振驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)模塊包括第一差分放大器、第二差分放大器和第三差分放大器;
其中,第二差分放大器的輸入端和第三差分放大器的輸入端均連接第一差分放大器的輸出端,第二差分放大器的輸出端與第一差分放大器的正極輸入端相連,第二差分放大器用于提供正反饋增益至第一差分放大器,第三差分放大器的輸出端與第一差分放大器的負(fù)極輸入端相連,第三差分放大器用于提供負(fù)反饋增益至第一差分放大器;
晶振元件的一端連接第二差分放大器的輸出端、另一端接地,第二差分放大器的輸出端連接第一電容的一端,第一電容的另一端接地,第三差分放大器的輸出端連接第二電容的一端,第二電容的另一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自校準(zhǔn)晶振驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),其特征在于,所述第二差分放大器和第三差分放大器反饋至第一差分放大器輸入端的總反饋增益G總為:
其中,Gm1為第一差分放大器的增益,Gm2為第二差分放大器的增益,Gm3為第三差分放大器的增益,Rosc為晶振元件的等效阻抗,ω為角頻率,為第一電容的容抗,為第二電容的容抗。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自校準(zhǔn)晶振驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),其特征在于,所述第一差分放大器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第六NMOS管;
其中,第一PMOS管的柵極和漏極相連,第一PMOS管的柵極同時(shí)與第二差分放大器和第三差分放大器相連,第一PMOS管的源極與電源相連,第一PMOS管的漏極與第一NMOS管的漏極相連,第一NMOS管的柵極與第三差分放大器相連;
第二PMOS管的柵極和漏極相連,第二PMOS管的柵極同時(shí)與第二差分放大器和第三差分放大器相連,第二PMOS管的源極與電源相連,第二PMOS管的漏極與第二NMOS管的漏極相連,第二NMOS管的柵極與第二差分放大器相連;
第六NMOS管的漏極同時(shí)與第一NMOS管的源極以及第二NMOS管的源極相連,第六NMOS管的柵極與比較反饋模塊相連,第六NMOS管的源極接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自校準(zhǔn)晶振驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),其特征在于,所述第二差分放大器包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管;
其中,第三PMOS管的源極連接電源,第三PMOS管的柵極與第一差分放大器相連,第三PMOS管的漏極與第三NMOS管的漏極相連;
第三NMOS管的漏極與柵極相連,第三NMOS管的柵極與第四NMOS管的柵極相連,第三NMOS管的源極接地;
第四PMOS管的源極連接電源,第四PMOS管的柵極與第一差分放大器和第三差分放大器相連,第四PMOS管的漏極與第四NMOS管的漏極連接且同時(shí)連接第一差分放大器、晶振元件和第一電容;
第四NMOS管的柵極與第三差分放大器相連,第四NMOS管的源極接地。
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