[發明專利]一種5G基站用高頻高速PCB板及其制作方法

有效

• 申請號: 202110256298.2
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN113079635B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 楊興德
• 申請（專利權）人: 贛州新聯興科技有限公司
• 主分類號: H05K1/18
• 分類號: H05K1/18;H05K1/02;H05K1/11;H05K3/00
• 代理公司: 南昌金軒知識產權代理有限公司 36129
• 代理人: 文珊

1.一種5G基站用高頻高速PCB板，其特征在于，包括：

組合型PCB主體，所述組合型PCB主體包括若干相互堆疊的內層芯板，以及設置于所述內層芯板之間用于提高所述內層芯板散熱性能的散熱層；

功耗元件，所述功耗元件設置于所述組合型PCB主體表面，且所述功耗元件與所述組合型PCB主體電性連接，所述功耗元件所處位置的所述組合型PCB主體上開設有導熱孔，所述導熱孔貫通所述組合型PCB主體；

導熱部，所述導熱部嵌入設置于所述導熱孔內，所述導熱部用于將所述功耗元件產生的熱量進行快速導通散發；

所述導熱部包括：

導熱塊，所述導熱塊嵌設于所述導熱孔內；

若干熱壓往復運動結構，所述熱壓往復運動結構設置于所述導熱塊內部，且所述熱壓往復運動結構的運動方向相同，所述熱壓往復運動結構在所述導熱塊的內部熱量作用下自發往復運動；

散熱活塞部，所述散熱活塞部設置于所述導熱塊內，且所述散熱活塞部的一端與所述功耗元件相接觸，所述散熱活塞部通過連桿與所述熱壓往復運動結構相連接，使得在所述熱壓往復運動結構的驅動下，所述散熱活塞部同樣做往復運動，進而提高所述功耗元件與所述散熱活塞部接觸面上的氣流流通速度；

所述熱壓往復運動結構包括：

第一活塞腔室，所述第一活塞腔室設置于所述導熱塊內部；

第一活塞，所述第一活塞滑動配合于所述第一活塞腔室內，所述第一活塞將所述第一活塞腔室分隔成兩個相互獨立的腔室，遠離所述功耗元件的第一活塞腔室的側面設置有與外界連通的第一卸壓孔；

第一彈性件，所述第一彈性件的一端與靠近所述功耗元件的第一活塞腔室內壁相連，所述第一彈性件的另一端與所述第一活塞端部相連接；

第一活塞桿，所述第一活塞桿的一端與所述第一活塞相連接，所述第一活塞桿的另一端貫通所述第一活塞腔室上遠離所述功耗元件的一端，且所述第一活塞桿通過連桿與所述散熱活塞部相連接。

2.根據權利要求1所述的一種5G基站用高頻高速PCB板，其特征在于：

所述組合型PCB主體上靠近所述功耗元件的位置上設置有若干散熱孔，所述散熱孔貫通所述組合型PCB主體，所述散熱孔用于提高所述組合型PCB主體內部的散熱層的散熱能力。

3.根據權利要求1所述的一種5G基站用高頻高速PCB板，其特征在于：

所述導熱塊包括大端以及小端，所述導熱塊的小端與所述功耗元件接觸，所述大端用于傳導并散發所述小端吸收的所述功耗元件上的熱量；

所述熱壓往復運動結構設置于所述導熱塊的小端內。

4.根據權利要求1所述的一種5G基站用高頻高速PCB板，其特征在于，所述第一活塞包括：

第一主活塞，所述第一主活塞的側面滑動配合于所述第一活塞腔室的內壁上，所述第一主活塞的一端與所述第一活塞桿相連接，所述第一主活塞上遠離所述第一活塞桿的一側設置有凹槽，且所述第一主活塞上設置有第二卸壓孔，所述第二卸壓孔貫通所述第一主活塞；

第一副活塞，所述第一副活塞設置于所述第一主活塞遠離所述第一活塞桿的一側，所述第一副活塞的一側與所述第一彈性件相連接，所述第一副活塞的另一側覆蓋于所述第二卸壓孔上，所述第一主活塞與所述第一副活塞之間通過第二彈性件相連接。

5.根據權利要求1所述的一種5G基站用高頻高速PCB板，其特征在于，所述散熱活塞部包括：

第二活塞腔室，所述第二活塞腔室設置于所述導熱塊內部，且所述第二活塞腔室的一端貫通所述導熱塊上與所述功耗元件相接觸的面；

第二活塞，所述第二活塞滑動配合于所述第二活塞腔室內，所述第二活塞將所述第二活塞腔室分隔成兩部分；

第二活塞桿，所述第二活塞桿一端與所述第二活塞相連接，所述第二活塞桿的另一端貫通所述第二活塞腔室并通過連桿與所述熱壓往復運動結構相連接。