[發明專利]一種電響應形狀記憶復合材料及其制備方法

有效

• 申請號: 202110255074.X
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN112898756B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 于軍勝;盧駿;柏棟予;李璐
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C08L67/04
• 分類號: C08L67/04;C08K7/06;C08J5/18
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 張串串

1.一種電響應形狀記憶復合材料，其特征在于，所述電響應形狀記憶復合材料由形狀記憶聚合物和導電驅動層制成，所述導電驅動層嵌入并包覆于形狀記憶聚合物表面；

所述形狀記憶聚合物是由聚左旋乳酸、聚右旋乳酸和聚己內酯組成的共混物，所述聚左旋乳酸、聚右旋乳酸和聚己內酯按照重量質量比為(30-40)：(30-40)：(25-35)進行共混合；

所述聚左旋乳酸的重均分子量為10-300kg/mol，聚右旋乳酸的重均分子量為10-300kg/mol，聚己內酯重均分子量為110-130kg/mol。

2.根據權利要求1所述的一種電響應形狀記憶復合材料，其特征在于，所述導電驅動層為銀納米線網絡，銀納米線長度為30-40μm，直徑為40-60nm。

3.基于權利要求1或2所述一種電響應形狀記憶復合材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：將銀納米線分散液涂布至基板表面，經過干燥、退火后形成銀納米線導電薄膜；

步驟2：按照上述重量比例配制聚左旋乳酸、聚右旋乳酸和聚己內酯共混溶液，使用有機溶劑使聚左旋乳酸、聚右旋乳酸和聚己內酯顆粒溶解，在室溫下攪拌至均勻；

步驟3：將步驟1中制備的銀納米線導電薄膜置于平面皿中，取一定量的聚左旋乳酸、聚右旋乳酸和聚己內酯共混溶液均勻涂布至銀納米線表面，在室溫下干燥成膜后放入烘箱退火，冷卻至室溫脫模得到電響應形狀記憶復合材料。

4.根據權利要求3所述的一種電響應形狀記憶復合材料的制備方法，其特征在于：步驟1中基板為硅片或玻璃，所述銀納米線分散液濃度為0.5-1.5mg/ml，分散劑溶劑為乙醇，每次銀納米線分散液涂布量為100-300μl，退火溫度為100-120℃，退火時間為10-15min。

5.根據權利要求3所述的一種電響應形狀記憶復合材料的制備方法，其特征在于：步驟2中有機溶劑為二氯甲烷或三氯甲烷，聚左旋乳酸、聚右旋乳酸和聚己內酯共混溶液濃度為40-80g/L。

6.根據權利要求3所述的一種電響應形狀記憶復合材料的制備方法，其特征在于：步驟2中聚左旋乳酸、聚右旋乳酸和聚己內酯共混質量比例為(30-40)：(30-40)：(25-35)；所述聚左旋乳酸的重均分子量為10-300kg/mol，聚右旋乳酸的重均分子量為10-300kg/mol，聚己內酯重均分子量為110-130kg/mol。

7.根據權利要求3所述的一種電響應形狀記憶復合材料的制備方法，其特征在于：步驟3中聚左旋乳酸、聚右旋乳酸和聚己內酯共混溶液涂布量為20-40ml，烘箱退火溫度為160-200℃，退火時間為10-30min。

8.根據權利要求3所述的一種電響應形狀記憶復合材料的制備方法，其特征在于：所述步驟1的操作重復1-5次。