[發明專利]一種新型DRAM結構及實現方法

在審

• 申請號: 202110252584.1
• 申請日: 2021-03-08
• 公開（公告）號: CN113013167A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 李平;唐瑞楓;廖永波;彭辰曦;李垚森;聶瑞宏;馮軻
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242;H01L29/423
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型DRAM結構及實現方法，其特征在于，所述DRAM結構包含晶體管為縱向環柵結構晶體管和溝槽電容。

2.如權利要求1所述的一種新型DRAM結構及實現方法，其特征在于，所述DRAM結構中的縱向環柵結構晶體管為NMOSFET，其最下方為N+層，做晶體管源區。該層上方為P型層，做晶體管溝道區。P型溝道半導體區上方為N-輕摻雜層。N-層上方為另一N+層，做晶體管源區。

3.如權利要求1所述的一種新型DRAM結構及實現方法，其特征在于，所述DRAM結構中的縱向環柵結構晶體管可以實現1面，2面，3面或4面導電，溝道導電面數可以由用戶自行選擇指定。

4.如權利要求1所述的一種新型DRAM結構及實現方法，其特征在于，所述DRAM結構中的縱向環柵結構晶體管柵電極可以是整體為多晶硅，或者整體為金屬硅化物，或者整體為金屬，或者局部為多晶硅、硅化物、金屬的任意組合共同構成柵極介質。

5.如權利要求1所述的一種新型DRAM結構及實現方法，其特征在于，所述DRAM結構中的溝槽電容，極板之一為多晶硅，通過源極開孔直接與晶體管源極相連，二氧化硅作為溝槽電容的絕緣材料，再生長一層金屬或金屬硅化物或多晶硅或上述幾種材料的組合構成。電容和柵極材料之間通過另一深溝槽隔開。

6.如權利要求1所述的一種新型DRAM結構及實現方法，其特征在于，所述DRAM結構可以根據需要做在不同的P阱或N阱中，阱可以兼容其他晶體管的制作工藝。

7.如權利要求1所述的一種新型DRAM結構及實現方法，其特征在于，所述DRAM結構可以直接與其他晶體管相接，DRAM存儲數據，其他晶體管對數據進行處理，實現存算一體。