[發明專利]超疏水碳納米管薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 202110251039.0 | 申請日： | 2021-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN113072036B | 公開（公告）日： | 2023-07-21 |
| 發明（設計）人： | 弓曉晶;許敬;郭國標 | 申請（專利權）人： | 常州大學;江蘇江南烯元石墨烯科技有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;C23C14/06;H05K9/00;C23C14/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 常州市夏成專利事務所(普通合伙) 32233 | 代理人： | 沈毅 |
| 地址： | 213000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 疏水 納米 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種超疏水碳納米管薄膜的制備方法，其特征是，該方法的步驟為：
（a）采用噴槍噴涂法在聚苯乙烯基板上沉積一層碳納米管薄膜；
（b）用去離子水清洗基材，并用輥子輥壓碳納米管薄膜表面；
（c）將沉積碳納米管薄膜的聚苯乙烯基板放入對流烤箱中加熱，誘導基材的雙軸收縮和起皺；
（d）在收縮的碳納米管薄膜上旋涂一層聚四氟乙烯薄膜，再放入丙酮浴和甲苯浴中去除聚苯乙烯基材；
（e）在轉移后的碳納米管薄膜表面蒸鍍一層氟硅烷，得到超疏水薄膜。
2.根據權利要求1所述的超疏水碳納米管薄膜的制備方法，其特征是，步驟（c）中，所述加熱溫度為150攝氏度，加熱時間為20秒。
3.根據權利要求1所述的超疏水碳納米管薄膜的制備方法，其特征是，步驟（d）中，所述丙酮浴的溫度為75攝氏度，放入丙酮浴的時間為30分鐘。
4.根據權利要求1所述的超疏水碳納米管薄膜的制備方法，其特征是，步驟（d）中，所述甲苯浴的溫度為65攝氏度，放入甲苯浴的時間為10分鐘。
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