[發(fā)明專(zhuān)利]一種提高砷化鎵太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110249581.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113178494A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 花銀群;陳月亮;李志寶;陳瑞芳 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 江蘇大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/0216 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 212013 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 砷化鎵 太陽(yáng)能電池 光電 轉(zhuǎn)換 效率 方法 | ||
1.一種提高砷化鎵太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法,采用離子束在砷化鎵電池表面刻蝕微納米減反結(jié)構(gòu),其特征在于,具體步驟為:
(1)用酒精清洗電池表面并用吹風(fēng)機(jī)吹干;
(2)將電池背面粘貼在基板上固定,再將粘好電池的基板放置于旋涂機(jī)中旋涂光刻膠薄膜;
(3)旋涂完光刻膠薄膜后,將基片放置于真空干燥箱中保溫烘干;
(4)選取掩模版,采用光刻機(jī)將紫外光透過(guò)掩模版輻照在附有光刻膠的電池表面,對(duì)照射部分曝光;
(5)采用化學(xué)溶液腐蝕的方法溶解去除曝光區(qū)發(fā)生降解反應(yīng)的光刻膠;
(6)離子束刻蝕設(shè)備發(fā)出定向高能離子束撞擊帶有太陽(yáng)能電池的基板,刻蝕曝光區(qū)的電池表面,從而形成微結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種提高砷化鎵太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法,其特征在于,所述的電池為GaAs基單結(jié)異質(zhì)太陽(yáng)能電池,太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)包括正背面接觸層、窗口層、發(fā)射區(qū)、基區(qū)、背散射場(chǎng)、緩沖區(qū)、襯底層。
3.如權(quán)利要求1所述的一種提高砷化鎵太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法,其特征在于,所述的旋涂機(jī)為EVG101旋涂機(jī),EVG101旋涂機(jī)的運(yùn)行參數(shù)為:旋涂時(shí)間為30s,加速度為1000rpm/s,速度為2000rpm。
4.如權(quán)利要求1所述的一種提高砷化鎵太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法,其特征在于,所述的真空干燥箱保溫烘干,其溫度為135℃,保溫時(shí)間為15min。
5.如權(quán)利要求1所述的一種提高砷化鎵太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法,其特征在于,所述的掩模版為矩形,正方形或圓形;光刻機(jī)為Karisuss Ma6光刻機(jī),所述Karisuss Ma6光刻機(jī)的激光為13nm的極端紫外光,所用的光刻機(jī)的曝光時(shí)間為5s。
6.如權(quán)利要求1所述的一種提高砷化鎵太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法,其特征在于,所述的化學(xué)溶液為濃度為2.38%的四甲基氫氧化銨溶液。
7.如權(quán)利要求1所述的一種提高砷化鎵太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法,其特征在于,所述的離子束刻蝕設(shè)備運(yùn)行參數(shù)設(shè)置為離子束電流:150mA,離子束電壓:400V,加速電壓:400V,中性電流:150mA,射頻功率300W;離子束是氬離子束。
8.如權(quán)利要求1所述的一種提高砷化鎵太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法,其特征在于,所述微納米減反結(jié)構(gòu)的底面尺寸為1μm~10μm,深度為10nm~300nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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