[發明專利]石英晶體諧振器及其形成方法、電子設備有效
| 申請號： | 202110245408.5 | 申請日： | 2021-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN113285689B | 公開（公告）日： | 2023-01-31 |
| 發明（設計）人： | 張孟倫;龐慰 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | H03H9/19 | 分類號： | H03H9/19;H03H9/215 |
| 代理公司： | 北京漢智嘉成知識產權代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜勁;谷惠敏 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石英 晶體 諧振器 及其 形成 方法 電子設備 | ||
1.一種石英晶體諧振器，其特征在于，包括垂直方向疊置的基底和主體功能結構，所述主體功能結構包括石英壓電層、第一電極、第二電極和機械增強結構，所述基底與所述主體功能結構之間通過鍵合連接，其中，所述機械增強結構位于所述石英壓電層之上，所述基底與所述石英壓電層鍵合，或者，所述機械增強結構位于所述石英壓電層之下，所述基底與所述機械增強結構鍵合，
所述機械增強結構與所述石英壓電層二者接觸的接觸區域的俯視投影，以及所述基底與所述主體功能結構二者鍵合的鍵合區域的俯視投影，二者具有重疊。
2.根據權利要求1所述的石英晶體諧振器，其特征在于，所述機械增強結構包括支撐層和上部基底層。
3.根據權利要求1所述的石英晶體諧振器，其特征在于，所述機械增強結構為蓋狀增強結構。
4.根據權利要求1所述的石英晶體諧振器，其特征在于，所述基底在和主體功能結構接近的位置設有空腔。
5.根據權利要求1所述的石英晶體諧振器，其特征在于，還包括封裝結構。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的石英晶體諧振器，其特征在于，還包括經過所述基底或者封裝結構引出的電極引出結構。
7.一種石英晶體諧振器的形成方法，其特征在于，包括：
提供石英壓電層；
在所述石英壓電層之上形成第一電極；
在所述第一電極之上形成犧牲層；
在所述犧牲層之上沉積支撐層并磨平所述支撐層；
翻轉當前半導體結構然后鍵合到上部基底層上；
減薄所述石英壓電層；
在所述石英壓電層之上形成第二電極；
去除所述犧牲層；
將當前半導體結構翻轉后鍵合到基底之上，其中所述石英壓電層與所述基底互相接觸；
在所述基底之上形成封裝結構，
其中，所述石英壓電層與所述基底的鍵合區域的俯視投影，以及所述支撐層與所述石英壓電層接觸區域的俯視投影，二者具有重疊。
8.一種石英晶體諧振器的形成方法，其特征在于，包括：
提供石英壓電層；
在所述石英壓電層之上形成第一電極；
在所述第一電極之上形成犧牲層；
在所述犧牲層之上沉積支撐層并磨平所述支撐層；
翻轉當前半導體結構然后鍵合到上部基底層上；
減薄所述石英壓電層；
在所述石英壓電層之上形成第二電極；
去除所述犧牲層；
將當前半導體結構直接鍵合到基底之上，其中所述上部基底層與所述基底互相接觸；
在所述基底之上形成封裝結構，
其中，所述上部基底層與所述基底的鍵合區域的俯視投影，以及所述支撐層與所述石英壓電層接觸區域的俯視投影，二者具有重疊。
9.一種石英晶體諧振器的形成方法，其特征在于，包括：
提供石英壓電層；
在所述石英壓電層之上形成第一電極；
翻轉當前半導體結構然后鍵合到蓋狀增強結構上；
減薄所述石英壓電層；
在所述石英壓電層之上形成第二電極；
將當前半導體結構翻轉后鍵合到基底之上，其中所述石英壓電層與所述基底互相接觸；
在所述基底之上形成封裝結構，
其中，所述石英壓電層與所述基底的鍵合區域的俯視投影，以及所述蓋狀增強結構與所述石英壓電層鍵合區域的俯視投影，二者具有重疊。
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