[發明專利]檢測方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 202110243624.6
• 申請日: 2021-03-05
• 公開（公告）號: CN113410116A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 輿水地鹽
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;牛孝靈

本發明提供一種檢測方法和等離子體處理裝置，能夠提高對等離子體的狀態、處理工藝的狀態、等離子體處理裝置及其零件的狀態的至少任一者的監視精度。檢測方法包括對下部電極供給偏置功率，并對上部電極或者下部電極供給源功率的步驟；和檢測安裝在腔室上的傳感器的輸出值的步驟，檢測傳感器的輸出值的步驟包括(a)按偏置波形的每個周期確定偏置波形的第一相位的步驟；(b)確定第二相位的步驟，其中第二相位是從確定了第一相位的時刻起經過預先設定的第一時間后的源波形的第二相位；和(c)從確定了第二相位的時刻起經過預先設定的第二時間后進行傳感器的輸出值的采樣的步驟，按偏置波形的每個周期反復執行(a)～(c)的步驟。

技術領域

本發明涉及檢測方法和等離子體處理裝置。

背景技術

例如專利文獻1和專利文獻2提出了一種技術，其中檢測等離子體發出的規定波長的光，基于從檢測到的規定波長的光提取出的信號的發光強度的變化，來檢測等離子體處理的終點(end point)，使基片的處理結束。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平11-288921號公報

專利文獻2：日本特開平9-115883號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明提供一種檢測方法和等離子體處理裝置，能夠提高對等離子體的狀態、處理工藝(process)的狀態、等離子體處理裝置及其零件(部件)的狀態中的至少任一者的監視精度。

解決問題的技術手段

本發明的一個方案提供一種檢測方法，其包括：對下部電極供給偏置功率，并對上部電極或者所述下部電極供給源功率的步驟；和檢測安裝在腔室上的傳感器的輸出值的步驟，其中，檢測所述傳感器的輸出值的步驟包括：(a)按偏置波形的每一個周期確定所述偏置波形的第一相位的步驟；(b)確定第二相位的步驟，其中該第二相位是從確定了所述第一相位的時刻起經過預先設定的第一時間后的源波形的第二相位；和(c)從確定了所述第二相位的時刻起經過預先設定的第二時間后進行所述傳感器的輸出值的采樣的步驟，其中，按偏置波形的每一個周期反復執行(a)～(c)的步驟。

發明效果

采用本發明的一個方案，能夠提高對等離子體的狀態、處理工藝的狀態、等離子體處理裝置及其零件的狀態中的至少任一者的監視精度。

附圖說明

圖1是表示第一和第二實施方式的等離子體處理裝置的截面示意圖。

圖2是用于說明第一實施方式的檢測方法的模擬結果之一例的圖。

圖3是用于說明第二實施方式的檢測方法的模擬結果之一例的圖。

圖4是用于說明第二實施方式的檢測方法的模擬結果之另一例的圖。

圖5是表示發光強度的檢測結果之一例的圖。

圖6是表示第二實施方式的等離子體處理裝置的截面示意圖。

具體實施方式

下面參照附圖說明用于實施本發明的實施方式。在附圖中，對相同構成部分標注相同的附圖標記，省略重復說明。

[等離子體處理裝置]

參照圖1說明用于執行蝕刻處理、成膜處理等基片處理的等離子體處理裝置10的結構。圖1是表示第一和第二實施方式的等離子體處理裝置10的截面示意圖。作為等離子體處理裝置10，給出為了從處理氣體中激發等離子體而使用的若干等離子體生成系統之一例。