[發明專利]半導體器件及其制備方法、陣列基板

在審

• 申請號: 202110241418.1
• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN113161372A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 李辰;李素華;陳建都;胡慶元;顏衡;任騰
• 申請（專利權）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1362
• 代理公司: 廣東君龍律師事務所 44470
• 代理人: 丁建春

本申請公開了一種半導體器件及其制備方法、陣列基板，屬于顯示技術領域。本申請公開的半導體器件包括半導體層、絕緣層、填充體和導電薄膜，其中，半導體層具有電極部，絕緣層覆蓋半導體層，且對應電極部的位置設置有過孔，該過孔的孔壁具有凹陷，填充體至少填充于該凹陷，以平整過孔的孔壁，導電薄膜至少部分覆蓋過孔的孔壁，并與電極部接觸。本申請利用填充體填充過孔孔壁的凹陷，使孔壁呈平整狀，則后續形成導電薄膜時，導電薄膜沿孔壁沉積生長，也呈平整狀，能夠保障導電薄膜延伸的連續性，降低其發生斷裂的幾率，從而降低半導體器件驅動顯示面板時發生斷路的幾率，提高半導體器件的可靠性。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，特別是涉及一種半導體器件及其制備方法、陣列基板。

背景技術

目前主要的顯示面板(例如液晶顯示面板、OLED顯示面板)中均包括陣列基板，陣列基板內通常包括半導體器件，用于驅動顯示面板，決定其顯示性能。在半導體器件的制備過程中，通常需要形成帶有過孔的絕緣層，以使分別位于絕緣層兩側的導電薄膜和半導體層通過該過孔相接觸。但是現有技術中，形成過孔的刻蝕工藝往往導致過孔的孔壁凹凸不平，后續形成導電薄膜時，容易導致導電薄膜出現斷裂，增加半導體器件驅動顯示面板時發生斷路的幾率，從而導致顯示面板出現暗點不良的顯示缺陷。

發明內容

本申請主要解決的技術問題是提供一種半導體器件及其制備方法、陣列基板，能夠提高半導體器件的可靠性。

為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種半導體器件，包括：

半導體層，具有電極部；

絕緣層，覆蓋所述半導體層，且對應所述電極部的位置設置有過孔，所述過孔的孔壁具有凹陷；

填充體，至少填充于所述凹陷，以平整所述過孔的孔壁；

導電薄膜，至少部分覆蓋所述過孔的孔壁，并與所述電極部接觸。

其中，所述絕緣層包括分別層疊于所述半導體層的第一絕緣子層和第二絕緣子層，且在對應所述過孔處，所述第一絕緣子層的所述過孔孔徑與所述第二絕緣子層的所述過孔孔徑不同，以形成所述凹陷，其中，所述第一絕緣子層和所述第二絕緣子層的材質不相同。

其中，所述填充體僅位于所述凹陷內。

或者，所述填充體連續覆蓋所述第一絕緣子層和所述第二絕緣子層位于所述過孔孔壁的側面。

其中，所述第一絕緣子層的材質包括氧化硅，所述第二絕緣子層的材質包括氮化硅，所述填充體包括聚酰亞胺。

其中，所述第一絕緣子層和所述第二絕緣子層的數量均至少為二，兩者交替層疊；所述半導體器件還包括柵極層，所述柵極層位于所述第一絕緣子層和所述第二絕緣子層之間。

為解決上述技術問題，本申請采用的另一個技術方案是：提供一種陣列基板，包括：

襯底；

如上述技術方案所述的半導體器件，其中，所述半導體器件形成于所述襯底的第一表面。

為解決上述技術問題，本申請采用的另一個技術方案是：提供一種半導體器件的制備方法，包括：

在半導體層一側形成絕緣層，使所述絕緣層覆蓋所述半導體層，其中，所述半導體層具有電極部；

在所述絕緣層對應所述電極部的位置形成過孔，所述過孔的孔壁形成有凹陷；

將填充體至少填充于所述凹陷內，以平整所述過孔的孔壁；

在所述過孔內形成導電薄膜，使所述導電薄膜至少部分覆蓋所述過孔的孔壁，并與所述電極部接觸。

其中，所述在所述絕緣層對應所述電極部的位置形成過孔的步驟之后，還包括：采用濕法刻蝕方式清洗所述過孔；