[發明專利]等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 202110238997.4
• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN113394069A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 山岸幸司;池田寬;近藤寬之
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;王昊

本發明提供一種能夠在電極外周部的周向生成高均勻性等離子體的等離子體處理裝置。等離子體處理裝置包括腔室、第1電極、高頻電源、供電棒、板狀部件和電介質體。第1電極為與腔室內相對的電極。高頻電源對第1電極供給高頻電力。供電棒對第1電極的與腔室內相對的面的相反一側的面的中心高頻供供電力。板狀部件是與第1電極的與腔室內相對的面相反一側的面平行地設置的、接地的導電性的板狀部件。電介質體連接第1電極與板狀部件之間，呈相對于第1電極的中心形成旋轉對稱的形狀。

技術領域

本發明涉及一種等離子體處理裝置。

背景技術

作為等離子體處理裝置例如已知電容耦合型的等離子體處理裝置。在電容耦合型的等離子體處理裝置中，例如在腔室內配置有一對平行平板電極(上部電極和下部電極)，將處理氣體導入到腔室內，并通過對一個電極施加高頻來形成處理氣體的等離子體。在此，為了提高等離子體的密度，在提高對電極施加的高頻的頻率時，因諧波而容易在電極表面生成駐波。在產生駐波時電極表面的電場分布變得不均勻，等離子體密度也變得不均勻。對此，提出了通過在對電極施加高頻的供電棒和電極的相反一側設置導電性的部件并接地，使供電棒的電感降低，使等離子體密度均勻。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2000-331996號公報

發明內容

發明想要解決的技術問題

本發明提供一種能夠在電極外周部的周向上生成高均勻性等離子體的等離子體處理裝置。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的一個方式的等離子體處理裝置包括腔室、第1電極、高頻電源、供電棒、板狀部件和電介質體。第1電極為與腔室內相對的電極。高頻電源對第1電極供給高頻電力。供電棒對第1電極的與腔室內相對的面相反一側的面的中心高頻供供電力。板狀部件是與第1電極的與腔室內相對的面相反一側的面平行地設置的、接地的導電性的板狀部件。電介質體連接第1電極和板狀部件之間，呈相對于第1電極的中心形成旋轉對稱的形狀。

發明效果

根據本發明，能夠在電極外周部的周向上生成均勻性高的等離子體。

附圖說明

圖1是表示本發明的第1實施方式中的等離子體處理裝置的一例的圖。

圖2是表示第1實施方式中的腔室上部的覆蓋部件的構成的一例的圖。

圖3是表示第1實施方式中的腔室上部的電介質體的配置的一例的立體圖。

圖4是表示第1實施方式中的腔室上部的電介質體的配置的一例的平面圖。

圖5是表示第1實施方式中的腔室上部的構成的一例的立體截面圖。

圖6是示意地表示上部電極中的高頻電力的供給路徑的一例的圖。

圖7是示意地表示上部電極中的高頻電力的供給路徑的一例的圖。

圖8是表示從供電棒至頂板的等效電路的一例的圖。

圖9是表示將第1實施方式中的電介質體在周向均等配置時的等離子體的偏置的一例的圖。

圖10是表示將比較例中的電介質體偏置周向配置時的等離子體的偏置的一例的圖。

圖11是示意地表示第1實施方式中的電介質體的有無的高頻電力的供給路徑的一例的圖。

圖12是表示將第1實施方式中的電介質體在周向均等配置時的蝕刻率的分布的一例的圖。

圖13是表示將比較例中的電介質體偏置周向配置時的蝕刻率的分布的一例的圖。