[發明專利]鍍制超導帶材的裝置和方法以及超導帶材

有效

• 申請號: 202110237683.2
• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN112599300B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 朱佳敏;陳思侃;趙躍;吳蔚;高中赫;甄水亮;丁逸珺
• 申請（專利權）人: 上海超導科技股份有限公司
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;H01B12/02
• 代理公司: 上海段和段律師事務所 31334
• 代理人: 李佳俊;郭國中

1.一種鍍制超導帶材的裝置，其特征在于，所述鍍制超導帶材的裝置包括：圖形板(4)、超導源(6)，所述超導源(6)設置于所述圖形板(4)的一側，基帶(1)設置于所述圖形板(4)的另一側；所述超導源(6)射出的超導材料經過所述圖形板(4)在所述基帶(1)上鍍制對應的超導層(2)；或者，

所述鍍制超導帶材的裝置包括：圖形板(4)、超導源(6)和同質非導電源(7)，所述超導源(6)和所述同質非導電源(7)設置于所述圖形板(4)的一側，基帶(1)設置于所述圖形板(4)的另一側；所述超導源(6)射出的超導材料和所述同質非導電源(7)射出的同質非導電材料，經過所述圖形板(4)在所述基帶(1)上鍍制對應的超導層(2)和同質非導電層(3)；

所述超導源(6)指利用相應的鍍制方法時射出超導材料的地方；

所述同質非導電源(7)指利用相應的鍍制方法時射出同質非導電材料的地方；

還包括走帶機構，所述基帶(1)設置于所述走帶機構上，通過所述走帶機構驅動所述基帶(1)移動；

還包括移動圖形板機構，所述圖形板(4)設置于所述移動圖形板機構上，通過所述移動圖形板機構驅動所述圖形板(4)移動；

鍍制所述超導層(2)的方法包括以下任一種：

MOCVD有機源氣相沉積法；

MOD化學溶劑法；

PLD脈沖激光鍍膜沉積法；

RCE反應電子束共蒸發法；

Sputtering磁控濺射法。

2.根據權利要求1所述的鍍制超導帶材的裝置，其特征在于，還包括加熱機構(5)，對所述基帶(1)進行加熱。

3.根據權利要求1所述的鍍制超導帶材的裝置，其特征在于，鍍制的功率、頻率與鍍制的超導層(2)和/或同質非導電層(3)的厚度成正比；

鍍制超導層(2)的功率大于鍍制同質非導電層(3)的功率；

每層超導層的厚度在0.1-1μm，同質非導電層的厚度在0.01um-0.3μm。

4.根據權利要求1所述的鍍制超導帶材的裝置，其特征在于，所述同質非導電層(3)包括：STO、CeO₂或者LaMnO₃。

5.根據權利要求1所述的鍍制超導帶材的裝置，其特征在于，所述走帶機構包括：收料盤(11)、放料盤(12)和走帶導輪(9)；

所述基帶(1)從所述放料盤(12)經過所述走帶導輪(9)在所述圖形板(4)的另一側拉直為一條或多條平行結構進行鍍制，再通過所述收料盤(11)回收。

6.一種鍍制超導帶材的方法，其特征在于，采用權利要求1所述的鍍制超導帶材的裝置，執行包括：

通過鍍制工藝使所述超導源(6)射出物質，射出的物質經過所述圖形板(4)在所述基帶(1)上鍍制對應的超導層(2)；或者，通過鍍制工藝使所述超導源(6)射出超導材料和所述同質非導電源(7)射出同質非導電材料，經過所述圖形板(4)在所述基帶(1)上鍍制對應的超導層(2)和同質非導電層(3)；

在鍍制過程中，圖形板(4)與基帶(1)同速運動；或者，

圖形板(4)不動，基帶(1)間歇式移動，在基帶(1)靜止狀態下進行鍍制。

7.一種超導帶材，其特征在于，采用權利要求6所述的鍍制超導帶材的方法制備得到。