[發明專利]三維存儲器及其制作方法有效
| 申請號: | 202110236903.X | 申請日: | 2021-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN112992915B | 公開(公告)日: | 2022-01-25 |
| 發明(設計)人: | 孫昌志;高庭庭;薛磊;劉小欣;耿萬波;杜小龍 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/11582 | 分類號: | H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 王曉玲 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三維 存儲器 及其 制作方法 | ||
1.一種三維存儲器的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供襯底,所述襯底上具有堆疊體,所述堆疊體包括沿遠離所述襯底的方向交替層疊的多層犧牲層和多層隔離層;
在所述堆疊體中形成貫穿至所述襯底并沿第一方向排列的多個溝道孔陣列,并在各所述溝道孔陣列中的溝道通孔中形成溝道結構;
在所述堆疊體中形成貫穿至所述襯底的虛擬溝道孔列,各所述虛擬溝道孔列位于相鄰所述溝道孔陣列之間,且各所述虛擬溝道孔列中的虛擬溝道孔沿第二方向分布,在各所述虛擬溝道孔中形成填充部以形成虛擬溝道結構;
將所述犧牲層置換為控制柵結構,以形成柵極堆疊結構,在所述柵極堆疊結構中形成貫穿至所述襯底的多個共源極,多個所述溝道孔陣列位于相鄰所述共源極之間;
在所述柵極堆疊結構表面形成頂部選擇柵切線,所述頂部選擇柵切線貫穿所述虛擬溝道孔列中各所述填充部的頂部。
2.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述虛擬溝道孔中填充絕緣材料以形成所述填充部。
3.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述虛擬溝道孔中的所述虛擬溝道結構與所述溝道通孔中的溝道結構同步形成。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的制作方法,其特征在于,各所述溝道孔陣列包括沿所述第一方向分布的多個溝道孔列,各所述溝道孔列中的所述溝道通孔沿所述第二方向分布,相鄰的各所述溝道孔列交錯設置,且各所述虛擬溝道孔列與相鄰各所述溝道孔列交錯設置。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的制作方法,其特征在于,各所述溝道孔陣列包括沿所述第一方向分布的多個溝道孔列,各所述溝道孔列中的所述溝道通孔沿所述第二方向分布,各所述溝道孔列中所述溝道通孔的數量相同。
6.根據權利要求5所述的制作方法,其特征在于,各所述溝道孔陣列具有數量相同的所述溝道通孔。
7.根據權利要求5所述的制作方法,其特征在于,各所述虛擬溝道孔列中的所述虛擬溝道孔與各所述溝道孔列中的所述溝道通孔數量相同。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長江存儲科技有限責任公司,未經長江存儲科技有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110236903.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





