[發(fā)明專利]相控陣天線、電子設(shè)備及相位控制方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110230005.3
• 申請(qǐng)日: 2021-03-02
• 公開（公告）號(hào): CN115000679A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉楨;席克瑞;雷登明;林柏全;賈振宇;秦鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01Q1/36
• 分類號(hào): H01Q1/36;H01Q1/48;H01Q3/30
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 娜拉

1.一種相控陣天線，其特征在于，具有陣列分布的多個(gè)相控陣單元，各所述相控陣單元包括發(fā)光組件和貼合在所述發(fā)光組件出光面的天線組件，所述天線組件包括輻射體電極層及沿垂直于發(fā)光組件的出光面的方向?qū)盈B設(shè)置的接地層、介質(zhì)層和微帶線電極，所述輻射體電極層位于所述介質(zhì)層背向所述發(fā)光組件的一側(cè)，所述介質(zhì)層包括光敏介質(zhì)層，所述光敏介質(zhì)層位于所述接地層和所述微帶線電極之間，所述發(fā)光組件發(fā)射的光線用于照射至所述光敏介質(zhì)層，以調(diào)控所述光敏介質(zhì)層的介電常數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣天線，其特征在于，所述光敏介質(zhì)層材料包括偶氮基團(tuán)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相控陣天線，其特征在于，所述發(fā)光組件發(fā)射的光線的波長(zhǎng)范圍為390nm～577nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣天線，其特征在于，所述介質(zhì)層包括圖案化的第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層具有第一鏤空部，所述光敏介質(zhì)層設(shè)置于所述第一鏤空部；其中，

所述接地層設(shè)置于所述發(fā)光組件的出光面，所述第一介質(zhì)層及所述光敏介質(zhì)層設(shè)置于所述接地層背向所述發(fā)光組件的一側(cè)表面，所述微帶線電極設(shè)置于所述光敏介質(zhì)層背向所述接地層的一側(cè)表面，所述輻射體電極層和所述微帶線電極同層且間隔設(shè)置且所述輻射體電極層設(shè)置于所述第一介質(zhì)層背向所述接地層的一側(cè)表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的相控陣天線，其特征在于，所述接地層為透明導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，且所述發(fā)光組件在所述接地層上的正投影與所述光敏介質(zhì)層在所述接地層上的正投影交疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的相控陣天線，其特征在于，所述天線組件還包括反射層，所述反射層設(shè)置于所述微帶線電極、所述第一介質(zhì)層及所述輻射體電極層背向所述光敏介質(zhì)層的一側(cè)表面，所述接地層為非透明導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述接地層包括第一過孔，所述第一過孔在所述反射層上的正投影與所述發(fā)光組件在所述反射層上的正投影交疊，且所述第一過孔在所述反射層上的正投影與所述輻射體電極層及所述光敏介質(zhì)層在所述反射層上的正投影均無交疊。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的相控陣天線，其特征在于，各所述相控陣單元的所述反射層間隔設(shè)置，或者，各所述相控陣單元的所述反射層構(gòu)成整面結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣天線，其特征在于，所述介質(zhì)層包括第二介質(zhì)層；

所述微帶線電極設(shè)置于所述發(fā)光組件的出光面，所述光敏介質(zhì)層設(shè)置于所述微帶線電極背向所述發(fā)光組件的一側(cè)表面，所述接地層設(shè)置于所述光敏介質(zhì)層背向所述微帶線電極的一側(cè)表面，所述第二介質(zhì)層設(shè)置于所述接地層背向所述光敏介質(zhì)層的一側(cè)表面，所述輻射體電極層設(shè)置于所述第二介質(zhì)層背向所述接地層的一側(cè)表面；其中，

所述接地層包括第二過孔，所述第二過孔在所述光敏介質(zhì)層上的正投影位于所述輻射體電極層在所述光敏介質(zhì)層上的正投影內(nèi)；

所述微帶線電極具有鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域在所述光敏介質(zhì)層上的正投影與所述發(fā)光組件在所述光敏介質(zhì)層上的正投影交疊。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相控陣天線，其特征在于，所述介質(zhì)層還包括第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層與所述微帶線電極同層，且所述第三介質(zhì)層位于所述微帶線電極的所述鏤空區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣天線，其特征在于，各所述相控陣單元還包括棱鏡片，所述棱鏡片位于所述發(fā)光組件與所述天線組件之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣天線，其特征在于，各所述相控陣單元的所述發(fā)光組件相互獨(dú)立，或者，各所述相控陣單元的所述發(fā)光組件構(gòu)成整面結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的相控陣天線，其特征在于，各所述發(fā)光組件均包括發(fā)光控制電路，或者，各所述發(fā)光組件與同一個(gè)發(fā)光控制電路電連接。