[發明專利]NOR FLASH的形成方法

在審

• 申請號: 202110209856.X
• 申請日: 2021-02-24
• 公開（公告）號: CN113035879A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 田志;楊振興;邵華;陳昊瑜
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11536;H01L27/11548
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種NOR FLASH的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底內形成有相鄰的有源區和隔離區，所述隔離區的表面高于所述有源區的表面；

在所述有源區上依次形成浮柵和第一控制柵；

在所述隔離區上形成第二控制柵，所述第一控制柵和所述第二控制柵之間具有空隙，并且，所述第一控制柵和所述第二控制柵在同一高度上；以及

在所述第一控制柵和所述第二控制柵之間的空隙中填充氧化物，以形成層間介質層，所述層間介質層的表面平整。

2.如權利要求1所述的NOR FLASH的形成方法，其特征在于，所述隔離區包括淺溝槽隔離結構。

3.如權利要求1所述的NOR FLASH的形成方法，其特征在于，形成所述隔離區的方法包括：

在所述襯底內形成溝槽；

填充所述溝槽，以形成淺溝槽隔離結構；以及

刻蝕部分所述襯底，使得所述襯底的表面低于所述隔離區的表面。

4.如權利要求1所述的NOR FLASH的形成方法，其特征在于，在所述有源區上形成浮柵之前，還包括：

在所述襯底上形成隧穿氧化層。

5.如權利要求4所述的NOR FLASH的形成方法，其特征在于，在所述有源區上形成浮柵的方法包括：

在所述隧穿氧化層上形成浮柵層；以及

刻蝕所述浮柵層形成浮柵。

6.如權利要求1所述的NOR FLASH的形成方法，其特征在于，在所述有源區上形成浮柵之后，還包括：

在所述浮柵上形成第一ONO層。

7.如權利要求6所述的NOR FLASH的形成方法，其特征在于，形成位于所述浮柵上的第一控制柵的方法包括：

在所述第一ONO層上形成控制柵層；以及

刻蝕所述控制柵層形成第一控制柵。

8.如權利要求1所述的NOR FLASH的形成方法，其特征在于，在所述隔離區上形成第二控制柵之前，還包括：

在所述隔離區上形成第二ONO層。

9.如權利要求8所述的NOR FLASH的形成方法，其特征在于，在所述隔離區上形成第二控制柵的方法包括：

在所述第二ONO層上形成控制柵層；以及

控制所述控制柵層形成第二控制柵。

10.如權利要求1所述的NOR FLASH的形成方法，其特征在于，在所述襯底內形成有源區的方法包括：

向所述襯底內注入離子形成有源區。

11.如權利要求1所述的NOR FLASH的形成方法，其特征在于，所述層間介質層還覆蓋所述隧穿氧化層、浮柵、第一ONO層、第一控制柵的側壁。