[發明專利]半導體結構的形成方法在審
| 申請號： | 202110208683.X | 申請日： | 2021-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN113113304A | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 傅世剛;李明翰;眭曉林 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/321 | 分類號： | H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構的形成方法，包括：
提供一工作件，包括一半導體基底、于該半導體基底上的一第一介電層、以及于該第一介電層上的一第一蓋層；
于該第一介電層中形成一第一金屬部件；
使用一第一轉速對該第一金屬部件進行一第一化學機械研磨制程；
使用一第二轉速對該第一金屬部件進行一第二化學機械研磨制程，該第二轉速低于該第一轉速低，其中該第二化學機械研磨制程是計時的，且其中該第二化學機械研磨制程停止于該第一蓋層上；以及
在進行該第二化學機械研磨制程之后，移除該第一蓋層。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
