[發明專利]陶瓷電子元件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110205937.2
• 申請日: 2021-02-24
• 公開（公告）號: CN113327768A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 加藤洋一
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/224;H01G4/30
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種陶瓷電子元件，包括：

層疊結構，其具有大致長方體的形狀，并且包括交替地層疊的電介質層和內部電極層，所述電介質層主要由陶瓷構成，所述內部電極層交替地露出于所述層疊結構的彼此相對的兩個端面，

其中側邊緣的第一稀土元素的離子半徑小于電容部的第一稀土元素的離子半徑，

其中所述側邊緣的第一稀土元素是當向側邊緣添加僅一種稀土元素時的該稀土元素，或者是當向側邊緣添加多種稀土元素時的量最大的稀土元素，

其中所述電容部的第一稀土元素是當向電容部添加僅一種稀土元素時的該稀土元素，或者是當向電容部添加多種稀土元素時的量最大的稀土元素，

其中所述側邊緣是覆蓋所述內部電極層朝向除兩個端面之外的兩個側面延伸的邊緣部的部分，

其中所述電容部是露出于所述層疊結構的不同端面的內部電極層彼此相對的部分。

2.根據權利要求1所述的陶瓷電子元件，其中比率(所述電容部的第一稀土元素的離子半徑):(所述側邊緣的第一稀土元素的離子半徑)為1:0.999以下。

3.根據權利要求1或2所述的陶瓷電子元件，其中在所述側邊緣中，所述側邊緣的第一稀土元素的量相對于所述側邊緣的B位元素的量的比率為0.001以上且0.05以下。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的陶瓷電子元件，其中所述側邊緣的第一稀土元素為Er、Yb或Lu，

其中所述電容部的第一稀土元素為Dy或Ho。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的陶瓷電子元件，其中所述側邊緣的第一稀土元素為Tb、Dy、Ho、Y、Er、Yb或Lu，

其中所述電容部的第一稀土元素為Eu。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的陶瓷電子元件，其中所述電介質層的主要成分陶瓷為鈦酸鋇。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的陶瓷電子元件，其還包括：

覆蓋層，其設置在所述層疊結構的層疊方向上的頂面和底面中的至少一個上，

其中所述覆蓋層的第一稀土元素的離子半徑小于所述電容部的第一稀土元素的離子半徑，并且

其中所述覆蓋層的第一稀土元素是當向覆蓋層添加僅一種稀土元素時的該稀土元素，或者是當向覆蓋層添加多種稀土元素時的量最大的稀土元素。

8.根據權利要求1至3中任一項所述的陶瓷電子元件，其中所述側邊緣的第一稀土元素為Y，

其中所述電容部的第一稀土元素為Dy。

9.一種制造陶瓷電子元件的方法，所述方法包括：

制備陶瓷層疊結構，所述陶瓷層疊結構包括層疊部分和側邊緣部分，所述層疊部分具有以下結構：其中包括主要成分為陶瓷的顆粒的片材和金屬導電膏圖案交替地層疊，使得所述金屬導電膏交替地露出于所述層疊部分的兩個端面，所述側邊緣部分設置在所述層疊部分的兩個側面上；和

燒制所述陶瓷層疊結構，

其中所述側邊緣部分的第一稀土元素的離子半徑小于所述層疊部分的第一稀土元素的離子半徑，

其中所述側邊緣部分的第一稀土元素是當向側邊緣部分添加僅一種稀土元素時的該稀土元素，或者是當向側邊緣部分添加多種稀土元素時的量最大的稀土元素，并且

其中所述層疊部分的第一稀土元素是當向層疊部分添加僅一種稀土元素時的該稀土元素，或者是當向層疊部分添加多種稀土元素時的量最大的稀土元素。