[發(fā)明專利]存儲器器件及動態(tài)誤差監(jiān)視和修復的方法

在審

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• 申請日: 2021-02-24
• 公開（公告）號: CN113314182A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設計）人: 野口纮希;林谷峰;王奕
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G06F11/14
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

一種存儲器器件包含：存儲單元陣列，包括多個存儲單元，多個存儲單元包括包含第一數(shù)據(jù)存儲單元的多個數(shù)據(jù)存儲單元和包含第一備份存儲單元的多個備份存儲單元；存儲裝置，存儲配置成記錄多個數(shù)據(jù)存儲單元中的誤差的誤差表，誤差表包含多個誤差表條目，每一誤差表條目對應于多個數(shù)據(jù)存儲單元中的一個且具有地址和故障計數(shù)；以及控制器，配置成基于誤差表用第一備份存儲單元替換第一數(shù)據(jù)存儲單元。

技術領域

在本發(fā)明的實施例中闡述的技術大體來說涉及存儲器器件，且更具體來說，涉及存儲器器件及動態(tài)誤差監(jiān)視和修復的方法。

背景技術

存儲器器件用于在半導體器件和系統(tǒng)中存儲信息。非易失性存儲器器件即使在切斷電源之后也能夠保留數(shù)據(jù)。非易失性存儲器器件的實例包含閃速存儲器、鐵電隨機存取存儲器(ferroelectric random access memory,FRAM)、磁性隨機存取存儲器(magneticrandom access memory,MRAM)、電阻式隨機存取存儲器(resistive random accessmemory,RRAM)以及相變存儲器(phase-change memory,PCM)。MRAM、RRAM、FRAM以及PCM有時被稱為新出現(xiàn)的存儲器器件。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種存儲器器件，包括：存儲單元陣列，包括多個存儲單元，所述多個存儲單元包括包含第一數(shù)據(jù)存儲單元的多個數(shù)據(jù)存儲單元以及包含第一備份存儲單元的多個備份存儲單元；存儲裝置，存儲配置成記錄與所述多個數(shù)據(jù)存儲單元相關聯(lián)的誤差的誤差表，所述誤差表包含多個誤差表條目，每一誤差表條目對應于所述多個數(shù)據(jù)存儲單元中的一個且具有地址和故障計數(shù)；以及控制器，配置成基于所述誤差表用所述第一備份存儲單元替換所述第一數(shù)據(jù)存儲單元。

本發(fā)明實施例提供一種存儲器器件，包括：存儲單元陣列，包括多個存儲單元，所述多個存儲單元包括多個數(shù)據(jù)存儲單元和M個備份存儲單元，M是大于一的整數(shù)；存儲裝置，存儲修復表，其中所述修復表包含對應于由所述M個備份存儲單元替換的M個數(shù)據(jù)存儲單元的M個修復表條目，每一修復表條目具有地址和故障計數(shù)；以及控制器，配置成：更新所述修復表以產(chǎn)生更新的修復表；以及基于所述更新的修復表用所述M個備份存儲單元中的至少一個替換所述M個數(shù)據(jù)存儲單元中的至少一個。

本發(fā)明實施例提供一種動態(tài)誤差監(jiān)視和修復的方法，包括：提供包括多個存儲單元的存儲單元陣列，所述多個存儲單元包括多個數(shù)據(jù)存儲單元和多個備份存儲單元；通過誤差校正碼電路檢測所述多個數(shù)據(jù)存儲單元中的誤差；產(chǎn)生誤差表，所述誤差表包含多個誤差表條目，每一誤差表條目對應于所述多個數(shù)據(jù)存儲單元中的一個且具有地址和故障計數(shù)；以及基于所述誤差表，用所述多個備份存儲單元當中的第一備份存儲單元替換所述多個數(shù)據(jù)存儲單元當中的第一數(shù)據(jù)存儲單元。

附圖說明

當結合附圖閱讀時從以下詳細描述最好地理解本公開的方面。應注意，根據(jù)業(yè)界中的標準慣例，各個特征未按比例繪制。實際上，為了論述清楚起見，可任意增大或減小各個特征的尺寸。另外，圖式作為本發(fā)明的實施例的實例是說明性的且并不希望是限制性的。

圖1是示出根據(jù)一些實施例的并入動態(tài)誤差監(jiān)視和修復的實例存儲器器件的框圖。

圖2是根據(jù)一些實施例的實例誤差表。

圖3是示出根據(jù)一些實施例的更新誤差表的方法的流程圖。

圖4是示出根據(jù)一些實施例的動態(tài)誤差監(jiān)視和修復的方法的流程圖。

圖5A是示出根據(jù)一些實施例的在任何替換之前具有動態(tài)誤差監(jiān)視和修復的存儲單元陣列的示意圖。

圖5B是示出根據(jù)一些實施例的在實施圖4的方法之后的圖5A的存儲單元陣列的示意圖。

圖6A是根據(jù)一些實施例的修復表。

圖6B是根據(jù)一些實施例的另一修復表。

圖6C是根據(jù)一些實施例的又一修復表。