[發明專利]一種紅外焦平面探測器及其制作方法

在審

• 申請號: 202110201569.4
• 申請日: 2021-02-23
• 公開（公告）號: CN113013188A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 北京智創芯源科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王雨

1.一種紅外焦平面探測器的制作方法，其特征在于，包括：

在p型基體上表面設置鈍化層；

透過所述鈍化層對所述p型基體進行整面注入，得到連續的n型摻雜層；

在所述鈍化層表面光刻隔離槽圖形，并根據所述隔離槽圖形，刻蝕得到穿透所述鈍化層及所述n型摻雜層，且底面與所述p型基體接觸的圖形化的隔離槽，制得紅外焦平面探測器；其中，所述n型摻雜層包括多個被所述隔離槽分隔的探測像元。

2.如權利要求1所述的紅外焦平面探測器的制作方法，其特征在于，所述在所述鈍化層表面光刻隔離槽圖形，并根據所述隔離槽圖形，刻蝕得到穿透所述鈍化層及所述n型摻雜層，且底面與所述p型基體接觸的圖形化的隔離槽包括：

在所述鈍化層表面設置圖形化的光刻膠層；

對設置所述光刻膠層后的鈍化層進行一次刻蝕，去除未被所述光刻膠層覆蓋區域的鈍化層，得到圖形化鈍化層；

去除所述圖形化鈍化層表面的光刻膠層；

以所述圖形化鈍化層為掩膜對所述n型摻雜層進行二次刻蝕，得到所述隔離槽。

3.如權利要求2所述的紅外焦平面探測器的制作方法，其特征在于，所述以所述圖形化鈍化層為掩膜對所述n型摻雜層進行二次刻蝕，得到所述隔離槽包括：

以所述圖形化鈍化層為掩膜對所述n型摻雜層進行物理轟擊刻蝕，得到所述隔離槽。

4.如權利要求3所述的紅外焦平面探測器的制作方法，其特征在于，所述物理轟擊刻蝕為離子銑刻蝕。

5.如權利要求1所述的紅外焦平面探測器的制作方法，其特征在于，在刻蝕得到穿透所述鈍化層及所述n型摻雜層，且底面與所述p型基體接觸的圖形化的隔離槽之后，還包括：

在所述隔離槽的底面和側壁設置補強鈍化層。

6.如權利要求1所述的紅外焦平面探測器的制作方法，其特征在于，在刻蝕得到穿透所述鈍化層及所述n型摻雜層，且底面與所述p型基體接觸的圖形化的隔離槽之后，還包括：

對設置所述隔離槽后的p型基體進行熱修復。

7.如權利要求6所述的紅外焦平面探測器的制作方法，其特征在于，所述熱修復的時間范圍為3分鐘至10分鐘，包括端點值。

8.一種紅外焦平面探測器，其特征在于，從下至上依次包括p型基體、n型摻雜層及鈍化層；

所述鈍化層包括圖形化的隔離槽；

所述隔離槽穿透所述鈍化層及所述n型摻雜層，且底面與所述p型基體接觸；

所述n型摻雜層包括多個被所述隔離槽分隔的探測像元。

9.如權利要求8所述的紅外焦平面探測器，其特征在于，所述n型摻雜層及所述鈍化層之間，還包括鈍化過渡層。

10.如權利要求8所述的紅外焦平面探測器，其特征在于，所述隔離槽的寬度范圍為0.5微米至1.0微米，包括端點值。