[發明專利]一種氫化鋯復合阻氫涂層結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202110194529.1
• 申請日: 2021-02-20
• 公開（公告）號: CN113024279A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 閆淑芳;張鵬飛;陳偉東;楊少輝
• 申請（專利權）人: 內蒙古工業大學
• 主分類號: C04B41/89
• 分類號: C04B41/89;C25D11/02;G21C5/12
• 代理公司: 北京沃知思真知識產權代理有限公司 11942
• 代理人: 袁辰亮

1.一種氫化鋯復合阻氫涂層結構，其特征在于，包括氫化鋯基體，所述氫化鋯基體的外層裹覆有一層微弧氧化涂層；所述微弧氧化涂層的外層還裹覆有一層石墨烯。

2.一種氫化鋯復合阻氫涂層結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)對試樣基體氫化鋯依次進行表面處理，具體是打磨、清洗和烘干處理；

(2)對步驟(1)處理后的試樣基體氫化鋯進行微弧氧化處理；

(3)對步驟(2)處理后的試樣基體氫化鋯的表面涂覆石墨烯；

(4)將步驟(3)涂覆有石墨烯的試樣基體氫化鋯置于烘箱中進行熱處理，以固化燒結涂層；

(5)重復步驟(3)和步驟(4)，通過多次涂覆和燒結得到氫化鋯復合阻氫涂層。

3.根據權利要求2所述的一種氫化鋯復合阻氫涂層結構的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述的微弧氧化處理時所用的電解液為磷酸鹽體系電解液、硅酸鹽體系電解液、鋁酸鹽體系電解液中的任意一種。

4.根據權利要求2所述的一種氫化鋯復合阻氫涂層結構的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述的微弧氧化處理時控制電源參數為：正向80～600V，負向50～500V，頻率為20～600Hz，處理時長為30s～60min。

5.根據權利要求3所述的一種氫化鋯復合阻氫涂層結構的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述的涂覆處理采用旋涂法、噴涂法、提拉法中的任意一種來涂覆石墨烯；所述石墨烯溶液的濃度為0.2～5mg/ml。

6.根據權利要求3所述的一種氫化鋯復合阻氫涂層結構的制備方法，其特征在于，步驟(4)中所述的烘箱的溫度為40～200℃，升溫速率控制為0.5～5℃/min，保溫時長為5min～2h。