[發明專利]發光芯片和激光器

在審

• 申請號: 202110190280.7
• 申請日: 2021-02-18
• 公開（公告）號: CN115021081A
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 張昕;田有良;周子楠
• 申請（專利權）人: 青島海信激光顯示股份有限公司
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22;H01S5/022
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 劉強

本申請公開了一種發光芯片和激光器，屬于光電技術領域。所述發光芯片包括：沿第一方向依次疊加的第一電極、芯片主體、絕緣層和第二電極，芯片主體至少包括沿第一方向依次疊加的第一限制層、有源層和第二限制層；芯片主體分為發光部和非發光部，在第一電極上發光部的正投影與有源層中發光區的正投影重合，非發光部的正投影與有源層中非發光區的正投影重合；非發光部中靠近第二電極的一側設置有溝槽，且溝槽位于非發光部中靠近發光部的一端，溝槽的延伸方向相交于發光部與非發光部的排列方向，溝槽的深度方向平行于第一方向。本申請解決了發光芯片的發光效果較差的問題。本申請用于進行激光發射。

技術領域

本申請涉及光電技術領域，特別涉及一種發光芯片和激光器。

背景技術

隨著光電技術的發展，激光器的使用越來越廣泛，對于激光器的發光效果的要求也越來越高。

相關技術中，激光器包括多個發光芯片。圖1是相關技術提供的一種發光芯片的結構示意圖。如圖1所示，發光芯片10可以包括：沿第一方向(如圖中的y方向)依次疊加的第一電極101、基底(substrate)1020、第一限制層1021、第一波導層1022、有源層1023、第二波導層1024、第二限制層1025、絕緣層103和第二電極104，如該第一限制層1021為N型半導體層，該第二限制層1025為P型半導體層。該第一電極101和第二電極104可以向發光芯片注入電流，進而N型半導體層中的空穴與P型半導體中的電子均注入有源層1023，且在有源層1023中復合成光子。當有源層1023中有足夠多的光子能量輻射，有源層1023的發光區的電流密度達到一定高度時，有源層1023的發光區可以連續穩定地發出激光。

但是，相關技術中發光芯片的電流注入效率較低，有源層的發光區的電流密度較低，進而導致發光芯片的發光效果較差。

發明內容

本申請提供了一種發光芯片和激光器，可以解決發光芯片的發光效果較差的問題。所述技術方案如下：

一方面，提供了一種發光芯片，所述發光芯片包括：沿第一方向依次疊加的第一電極、芯片主體、絕緣層和第二電極，所述芯片主體至少包括沿所述第一方向依次疊加的第一限制層、有源層和第二限制層；

所述芯片主體分為發光部和非發光部，在所述第一電極上所述發光部的正投影與所述有源層中發光區的正投影重合，所述非發光部的正投影與所述有源層中非發光區的正投影重合；所述絕緣層覆蓋所述非發光部，所述第二電極覆蓋所述發光部與所述絕緣層，所述第一電極與所述第二電極用于為所述發光部加載電壓，使所述第二電極向所述發光部注入電流，以激發所述發光區發出激光；

所述非發光部中靠近所述第二電極的一側設置有溝槽，且所述溝槽位于所述非發光部中靠近所述發光部的一端，所述溝槽的延伸方向相交于所述發光部與所述非發光部的排列方向，所述溝槽的深度方向平行于所述第一方向

另一方面，提供了一種激光器，所述激光器包括：管殼以及陣列排布于所述管殼中的多個發光芯片，所述發光芯片包括上述的發光芯片。

本申請提供的技術方案帶來的有益效果至少包括：

本申請提供的發光芯片中，芯片主體中的非發光部中靠近第二電極的一側設置有溝槽，且該溝槽位于非發光部中靠近發光部的一端，該溝槽的延伸方向相交于發光部與非發光部的排列方向，溝槽的深度方向平行于第一方向。如此第二電極在向發光部注入電流后，該溝槽可以阻擋電流向非發光部中溝槽遠離發光部的一側擴散。因此，電流可以更集中地注入發光部，發光部中的電流密度較高，發光芯片的發光效果較好。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是相關技術提供的一種發光芯片的結構示意圖；