[發明專利]顯示裝置及制造該顯示裝置的方法在審
| 申請號: | 202110187330.6 | 申請日: | 2017-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN113013204A | 公開(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發明(設計)人: | 嚴東斌;黃智鴻;崔夏榮 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G02F1/133 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
公開了顯示裝置及制造顯示裝置的方法,所述方法包括如下步驟。準備襯底,該襯底的上表面上具有顯示部。將具有開口的保護膜附接到襯底的下表面,使得保護膜與顯示部重疊。將支承膜附接到所述下表面,使得支承膜布置在保護膜的開口內。將驅動電路芯片附接到所述上表面,使得驅動電路芯片與顯示部和開口間隔開。去除支承膜的至少一部分。沿著開口的縱向方向彎曲襯底。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2016年5月3日提交到韓國知識產權局的第10-2016-0054692號韓國專利申請的優先權,該韓國專利申請的公開內容通過引用以其整體并入本文。
技術領域
本發明涉及顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。
背景技術
顯示裝置包括劃分成顯示區域和非顯示區域的襯底。在顯示區域中,柵極線和數據線彼此絕緣,并且像素區域由彼此相交的柵極線和數據線來限定。在顯示區域中設置在像素區域中的薄膜晶體管(TFT)和像素電極彼此電連接。顯示區域中設置有各種導電層,例如,向顯示區域傳輸電信號的布線。
發明內容
根據本發明示例性實施方式,制造顯示裝置的方法提供為如下。準備襯底,襯底的上表面上具有顯示部。將具有開口的保護膜附接到襯底的下表面,使得保護膜與顯示部重疊。將支承膜附接到所述下表面,使得支承膜布置在保護膜的開口內。將驅動電路芯片附接到所述上表面,使得驅動電路芯片與顯示部和開口間隔開。去除支承膜的至少一部分。沿著開口的縱向方向彎曲襯底。
根據本發明示例性實施方式,顯示裝置提供為如下。具有第一區域、第二區域和位于第一區域與第二區域之間的彎曲區域的襯底被提供。彎曲區域彎曲成具有彎曲的下表面。顯示部布置在襯底的第一區域的上表面上。保護膜布置在襯底的第一區域的下表面上,并且包括保護膜基底和第一粘合層。第二粘合層布置在襯底的彎曲區域的彎曲的下表面上。第二粘合層的硬度高于第一粘合層的硬度。保護膜具有暴露襯底的彎曲區域的彎曲的下表面的開口。
根據本發明示例性實施方式,制造顯示裝置的方法提供為如下。準備襯底,襯底的上表面上具有顯示部。將具有開口的保護膜附接到襯底的下表面,使得保護膜與顯示部重疊。保護膜包括保護膜基底和第一粘合層。將支承膜附接到所述下表面,使得支承膜布置在保護膜的開口內。支承膜包括支承膜基底和第二粘合層。將驅動電路芯片附接到襯底的上表面,使得驅動電路芯片與顯示部和開口間隔開。去除支承膜來暴露第二粘合層,使得第二粘合層通過保護膜的開口暴露。沿著開口的縱向方向彎曲襯底,使得襯底具有與保護膜的開口重疊的彎曲表面。在暴露的第二粘合層上執行第一硬化工藝。
附圖說明
通過參照附圖詳細描述本發明的示例性實施方式,本發明的這些特征和其它特征將變得更加顯而易見,在附圖中:
圖1是部分地示出根據本發明示例性實施方式的顯示裝置的示意性立體圖;
圖2A至圖12是用于描述制造圖1的顯示裝置的工藝的示意性剖視圖;
圖13A至圖13C是用于描述制造根據本發明示例性實施方式的顯示裝置的工藝的示意性剖視圖;
圖14A至圖14D是可應用于根據本發明示例性實施方式的顯示裝置的支承膜的示意性剖視圖;
圖15是部分地示出根據本發明示例性實施方式的顯示裝置的示意性剖視圖;
圖15A是可應用于制造圖15的顯示裝置的支承膜的示意性剖視圖;
圖16是部分地示出根據本發明示例性實施方式的顯示裝置的示意性剖視圖;
圖17A是部分地示出根據本發明示例性實施方式的顯示裝置的示意性剖視圖;
圖17B是部分地示出根據本發明示例性實施方式的顯示裝置的示意性剖視圖;以及
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





