[發(fā)明專利]一種二氧化釩單晶驅(qū)動(dòng)器及其制備方法與應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110181070.1
• 申請(qǐng)日: 2021-02-09
• 公開（公告）號(hào): CN112938893B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程春;石潤(rùn);陳勇;申楠;孔偉光;甘翊辰;王子旭;趙婭萱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南方科技大學(xué)
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00;B81B3/00;C30B25/02;C30B29/16;B82Y15/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 潘登

1.一種二氧化釩單晶驅(qū)動(dòng)器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

(1)按照質(zhì)量比為(1-2):1混合五氧化二釩粉末與二氧化硅粉末，得到釩源粉末；

(2)將生長(zhǎng)襯底置于步驟(1)所得釩源粉末的正上方，一并放入加熱系統(tǒng)；

(3)將步驟(2)所述加熱系統(tǒng)抽真空并通入保護(hù)氣體，啟動(dòng)升溫程序進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng)，制得二氧化釩單晶驅(qū)動(dòng)器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述釩源粉末中還混合有二氧化鎢粉末；

優(yōu)選地，所述二氧化鎢粉末占釩源粉末總質(zhì)量的20-40％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述生長(zhǎng)襯底包括石英片；

優(yōu)選地，所述石英片的表面平均顆粒度為300-340目。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述生長(zhǎng)襯底與釩源粉末的距離為0.1-1cm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述抽真空的絕對(duì)真空度≤10Pa；

優(yōu)選地，步驟(3)所述保護(hù)氣體包括氮?dú)狻鍤饣蚝庵械娜我庖环N；

優(yōu)選地，步驟(3)所述保護(hù)氣體的通入流量為7-20sccm；

優(yōu)選地，步驟(3)所述保護(hù)氣體通入后加熱系統(tǒng)的氣壓為2-4Torr。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述升溫程序具體為：在第一時(shí)間段內(nèi)升溫至第一溫度，然后以第一升溫速率升溫至第二溫度，保持第二時(shí)間段，最后降溫。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第一時(shí)間段為25-35min；

優(yōu)選地，所述第一溫度為500-600℃；

優(yōu)選地，所述第一升溫速率為8-12℃/min；

優(yōu)選地，所述第二溫度為800-900℃；

優(yōu)選地，所述第二時(shí)間段為1-10min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

(1)按照質(zhì)量比為(1-2):1混合五氧化二釩粉末與二氧化硅粉末，得到釩源粉末；并向其中混合占釩源粉末總重量20-40％的二氧化鎢粉末；

(2)將表面平均顆粒度為300-340目的石英片作為生長(zhǎng)襯底置于步驟(1)所得釩源粉末的正上方0.1-1cm處，一并放入加熱系統(tǒng)；

(3)將步驟(2)所述加熱系統(tǒng)抽真空至絕對(duì)真空度≤10Pa，并通入流量為7-20sccm的氮?dú)狻鍤饣蚝庵良訜嵯到y(tǒng)的氣壓為2-4Torr，啟動(dòng)升溫程序進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng)，制得二氧化釩單晶驅(qū)動(dòng)器；所述升溫程序具體為：在25-35min內(nèi)升溫至500-600℃，然后以8-12℃/min升溫至800-900℃，保持1-10min，最后降溫。

9.一種如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的制備方法制備得到的二氧化釩單晶驅(qū)動(dòng)器。

10.一種如權(quán)利要求9所述的二氧化釩單晶驅(qū)動(dòng)器在微納驅(qū)動(dòng)方面的應(yīng)用。