[發(fā)明專利]一種發(fā)動機引射裝置及其壁面的溫度控制方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110180244.2 | 申請日: | 2021-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN112983682A | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 喬江暉;賀宏;冷海峰;丁佳偉;白文義;魚凡超;劉永偉;潘思宇;朱成亮;耿直;李謙;朱小江;翟文化;趙濤 | 申請(專利權(quán))人: | 西安航天動力試驗技術(shù)研究所 |
| 主分類號: | F02K9/96 | 分類號: | F02K9/96 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人: | 史曉麗 |
| 地址: | 710100 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 發(fā)動機 裝置 及其 溫度 控制 方法 | ||
1.一種發(fā)動機引射裝置,其特征在于:
包括內(nèi)層引射管(1)、套設(shè)在內(nèi)層引射管(1)上的外層冷卻夾套(2),以及設(shè)置在冷卻夾套(2)上的溫度測試系統(tǒng)(3);
所述溫度測試系統(tǒng)(3)包括設(shè)置在內(nèi)層引射管(1)上的至少兩個測溫單元,各個測溫單元分別布設(shè)在不同的溫度區(qū)域上;所述測溫單元包括正極熱偶絲(31)、負極熱偶絲(32)、套設(shè)在正極熱偶絲(31)和負極熱偶絲(32)外部的陶瓷套管(33)、套設(shè)在陶瓷套管(33)外部的嵌入式隔離管(34);
所述正極熱偶絲(31)和負極熱偶絲(32)的測溫端采用雙絞結(jié)構(gòu)且焊接在內(nèi)層引射管(1)外壁上;所述正極熱偶絲(31)和負極熱偶絲(32)的輸出端伸出嵌入式隔離管(34);所述嵌入式隔離管(34)的一端焊接在內(nèi)層引射管(1)外壁上,其另一端穿過外層冷卻夾套(2)且與外層冷卻夾套(2)密封連接;
所述陶瓷套管(33)與嵌入式隔離管(34)之間填充陶瓷粉末;所述正極熱偶絲(31)和負極熱偶絲(32)均與嵌入式隔離管(34)之間填充有絕緣硅脂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)動機引射裝置,其特征在于:所述嵌入式隔離管(34)所隔離的被測區(qū)域面積不大于0.12cm2。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)動機引射裝置,其特征在于:所述內(nèi)層引射管(1)上設(shè)置有三個不同的溫度區(qū)域,三個不同的溫度區(qū)域分別位于內(nèi)層引射管(1)的進口處、中部和出口處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的發(fā)動機引射裝置,其特征在于:所述嵌入式隔離管(34)的通徑尺寸為DN4。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)動機引射裝置,其特征在于:所述陶瓷套管(3)內(nèi)部設(shè)置有兩個用于分別放置正極熱偶絲(31)和負極熱偶絲(32)的圓柱形通道。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)動機引射裝置,其特征在于:所述測溫單元為E型熱電偶溫度傳感器,主要材料為鎳鉻-銅鎳。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)動機引射裝置,其特征在于:所述絕緣硅脂為柱狀。
8.一種發(fā)動機引射裝置壁面的溫度控制方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1)將內(nèi)層引射管(1)安裝在發(fā)動機的噴口處,進行內(nèi)層引射管(1)壁面的溫度測試;
步驟2)使用測溫單元對內(nèi)層引射管(1)不同的溫度區(qū)域進行溫度測量,獲取溫度數(shù)據(jù);
步驟3)根據(jù)溫度數(shù)據(jù),調(diào)節(jié)外層冷卻夾套(2)內(nèi)冷卻水流量或設(shè)計不同的換熱結(jié)構(gòu),使內(nèi)層引射管(1)壁面溫度保持在參考溫度范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)動機引射裝置壁面的溫度控制方法,其特征在于,步驟2)中,測溫單元對內(nèi)層引射管(1)三個不同的溫度區(qū)域進行溫度測量,三個不同的溫度區(qū)域分別位于內(nèi)層引射管(1)的進口處、中部和出口處。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)動機引射裝置壁面的溫度控制方法,其特征在于,步驟3)中,調(diào)節(jié)外層冷卻夾套(2)冷卻水流量或設(shè)計不同的換熱結(jié)構(gòu),使溫度測試系統(tǒng)(3)測得的內(nèi)層引射管(1)壁面的參考溫度范圍為200-600℃。
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