[發(fā)明專利]一種拼接屏及制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110157113.2
• 申請日: 2021-02-04
• 公開（公告）號: CN112864032A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 溫質(zhì)康;喬小平;蘇智昱
• 申請（專利權(quán)）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L27/15;H01L27/32;H01L23/488;H01L25/18
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;徐劍兵

1.一種拼接屏制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基板的一面上制作薄膜晶體管和第一電極，所述第一電極位于所述薄膜晶體管的一側(cè)；

制作平坦層，所述平坦層位于所述薄膜晶體管和所述第一電極上；

在平坦層上制作第一孔和第二孔，所述第一孔的孔底為薄膜晶體管的源極或者漏極，所述第二孔的孔底為第一電極；

制作第二電極和第三電極，所述第二電極通過所述第一孔連接薄膜晶體管的源極或者漏極，所述第三電極通過所述第二孔連接第一電極；

制作像素定義層，并在像素定義層上制作第三孔，所述第三孔的孔底為第二電極；

在第三孔中制作發(fā)光層，所述發(fā)光層連接所述第二電極，至此得到顯示子屏；

在像素定義層上制作第四孔，第四孔的底部為第二電極，將兩個顯示子屏的連接側(cè)壁通過導電銀漿拼接在一起，所述導電銀漿通過第四孔連接兩個顯示子屏上的第三電極，所述導電銀漿還位于兩個顯示子屏的連接側(cè)壁之間，每個顯示子屏中第三電極均位于所述發(fā)光層和所述連接側(cè)壁之間；

在基板的另一面上制作驅(qū)動芯片，所述驅(qū)動芯片連接所述導電銀漿。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種拼接屏制作方法，其特征在于，在第三孔中制作發(fā)光層的具體步驟為：

采用錫膏將Mini LED的發(fā)光層的燈珠引腳和所述第二電極相連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種拼接屏制作方法，其特征在于，還包括如下步驟：

在兩個顯示子屏的像素定義層上制作有機封裝層，所述有機封裝層覆蓋像素定義層和第四孔中的導電銀漿。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種拼接屏制作方法，其特征在于，在基板的一面上制作薄膜晶體管和第一電極后，在制作平坦層前，還包括如下步驟：

制作遮光層，所述遮光層位于薄膜晶體管和平坦層之間，所述遮光層用于阻擋光線照射薄膜晶體管中的有源層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種拼接屏制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)，所述第一電極和源極同層設(shè)置。

6.一種拼接屏，其特征在于，包括導電銀漿、驅(qū)動芯片和顯示子屏；

所述顯示子屏包括薄膜晶體管、第一電極、平坦層、第二電極、第三電極、像素定義層和發(fā)光層；

所述薄膜晶體管和所述第一電極均設(shè)置在基板的一面上，所述第一電極位于所述薄膜晶體管的一側(cè)；

所述平坦層設(shè)置在所述薄膜晶體管和所述第一電極上；

所述第二電極和所述第三電極均設(shè)置在所述平坦層上，所述第二電極通過平坦層上的第一孔連接薄膜晶體管的源極或者漏極，所述第三電極通過平坦層上的第二孔連接第一電極；

所述像素定義層設(shè)置在所述平坦層、所述第二電極和所述第三電極上；

所述發(fā)光層設(shè)置在像素定義層的第三孔中，所述發(fā)光層連接所述第二電極；

兩個的顯示子屏的連接側(cè)壁通過所述導電銀漿相拼接在一起，所述導電銀漿還通過像素定義層上的第四孔連接每個顯示子屏中的第三電極，其中每個顯示子屏中第三電極均位于所述發(fā)光層和所述連接側(cè)壁之間；

所述驅(qū)動芯片設(shè)置在基板的另一面上，所述驅(qū)動芯片連接所述導電銀漿。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種拼接屏，其特征在于，所述發(fā)光層為Mini LED的發(fā)光層，Mini LED的發(fā)光層的燈珠引腳通過錫膏和所述第二電極相連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的一種拼接屏，其特征在于，所述拼接屏還包括有機封裝層，所述有機封裝層不僅覆蓋每個顯示子屏中的像素定義層，還覆蓋第四孔中的導電銀漿。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種拼接屏，其特征在于，所述顯示子屏還包括遮光層，所述遮光層位于薄膜晶體管和平坦層之間，所述遮光層用于阻擋光線照射薄膜晶體管中的有源層。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種拼接屏，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)，所述第一電極和源極同層設(shè)置。