[發明專利]清洗工藝和半導體工藝方法在審

申請號：	202110147705.6	申請日：	2021-02-03
公開（公告）號：	CN112951711A	公開（公告）日：	2021-06-11
發明（設計）人：	崔兆培;朱柄宇	申請（專利權）人：	長鑫存儲技術有限公司
主分類號：	H01L21/02	分類號：	H01L21/02;H01L27/108;H01L27/11517;H01L27/11563
代理公司：	廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224	代理人：	史治法
地址：	230601 安徽省合肥市***	國省代碼：	安徽;34
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摘要：
搜索關鍵詞：	清洗工藝半導體方法
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【說明書】：

本發明涉及一種清洗工藝，用于對半導體結構的表面進行清洗，所述半導體結構的表面形成有殘留物層，所述清洗工藝包括：向所述半導體結構的表面提供第一反應氣體及第二反應氣體，所述第一反應氣體與所述第二反應氣體反應，以在去除所述殘留物層的同時于所述半導體結構的表面形成保護層。上述清洗工藝，與傳統清洗工藝相比，無需等離子條件，降低了清洗工藝所需要滿足的條件，節省了成本。并且，在去除殘留物層的同時，還可以在半導體結構表面形成保護層，進一步避免半導體結構表面被破壞。

技術領域

本發明涉及半導體器件及制造領域，特別是涉及一種清洗工藝和一種半導體工藝方法。

背景技術

隨著半導體器件(如DRAM)尺寸的不斷縮小，人們對半導體器件的電性能要求不斷提升。在半導體器件的制備過程中，起到重要電性能要求的多晶硅層不能被破壞，否則會嚴重影響半導體器件的電學性能。

傳統的技術方案中，在對多晶硅進行摻雜之后、進行下一步沉積工藝之前，會使用氮化氟氣體和氫氣在等離子條件下對多晶硅表面進行清洗，以去除多晶硅層表面的氧化物層(二氧化硅雜質)。然而，在等離子條件下，氮化氟會與多晶硅層中的硅原子進行反應，生成氟化硅氣體，從而造成多晶硅層的損耗，影響半導體器件的電性能。

發明內容

基于此，有必要針對等離子條件下氮化氟與硅原子進行反應造成多晶硅層損耗、影響半導體器件電性能的問題，提供一種新的清洗工藝。

一種清洗工藝，用于對半導體結構的表面進行清洗，所述半導體結構的表面形成有殘留物層，所述清洗工藝包括：

向所述半導體結構的表面提供第一反應氣體及第二反應氣體，所述第一反應氣體與所述第二反應氣體反應，以在去除所述殘留物層的同時于所述半導體結構的表面形成保護層。

在其中一個實施例中，所述半導體結構包括摻雜多晶硅襯底或包括摻雜多晶硅層，所述殘留物層位于所述摻雜多晶硅襯底的表面或所述摻雜多晶硅層的表面。

在其中一個實施例中，所述殘留物層包括氧化物顆粒，所述第一反應氣體與所述第二反應氣體反應生成氨氣及氟化氫，所述氨氣及所述氟化氫與所述殘留物層反應以去除所述殘留物層。

在其中一個實施例中，所述第一反應氣體包括三氟化氮氣體，所述第二反應氣體包括含過氧二氟硅酸銨氣體或過氧二氟硅酸銨與烷基形成的化合物，所述化合物中，所述烷基位于所述過氧二氟硅酸銨的過氧鍵之間。