[發(fā)明專利]動態(tài)隨機存取存儲器及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110141098.2
• 申請日: 2021-02-01
• 公開（公告）號: CN114843270A
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魏宏諭;彭培修;張維哲
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/762;H01L21/764;H01L21/768;H01L23/532;H01L21/8242
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 董驍毅;葉明川

1.一種動態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，包括：

一埋入式字線，形成于一基板中，其中所述埋入式字線沿著一第一方向延伸；

一位線，形成于所述基板上，其中所述位線沿著與所述第一方向垂直的一第二方向延伸；

一位線接觸結(jié)構(gòu)，形成于所述位線下方；

一電容接觸結(jié)構(gòu)，相鄰于所述位線；以及

一氣隙結(jié)構(gòu)，環(huán)繞所述電容接觸結(jié)構(gòu)，其中所述氣隙結(jié)構(gòu)包括：

一第一氣隙，位于所述電容接觸結(jié)構(gòu)的一第一側(cè)，其中所述第一氣隙暴露出位于所述基板中的一淺溝隔離結(jié)構(gòu)；以及

一第二氣隙，位于所述電容接觸結(jié)構(gòu)的一第二側(cè)，其中所述第二氣隙暴露出所述基板的一頂表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，所述第一氣隙的一底表面低于所述電容接觸結(jié)構(gòu)的一底表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，所述電容接觸結(jié)構(gòu)包括：

一第一接觸部件，形成于所述基板上，其中在所述第一側(cè)，所述第一接觸部件延伸進(jìn)入該淺溝隔離結(jié)構(gòu)中；

一緩沖層，形成于所述第一接觸部件上；以及

一第二接觸部件，形成于所述緩沖層上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，在所述第一側(cè)，所述第一接觸部件的一第一底表面低于所述基板的一頂表面，且其中在所述第二側(cè)，所述第一接觸部件的一第二底表面齊平于所述基板的所述頂表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，所述第一氣隙包括：

一第一部分，形成于所述基板中且向下延伸進(jìn)入所述淺溝隔離結(jié)構(gòu)中；

一第二部分，形成于所述基板上且向上延伸至等于或低于所述緩沖層的一頂表面的位置；以及

一第三部分，形成于所述第二部分上且向上延伸至等于或低于所述第二接觸部件的一頂表面的位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，在所述基板的一頂表面的位置，所述第一氣隙具有一第一寬度W1，在所述淺溝隔離結(jié)構(gòu)中，所述第一氣隙具有一最大寬度W2，且其中所述最大寬度W2大于所述第一寬度W1。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，所述第一氣隙的一底表面齊平于或低于所述位線接觸結(jié)構(gòu)的一底面。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，還包括：

一絕緣間隔物，形成于所述位線接觸結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，其中所述絕緣間隔物位于所述位線與所述電容接觸結(jié)構(gòu)之間，其中所述位線接觸結(jié)構(gòu)的一底表面齊平于或低于所述絕緣間隔物的一底表面；以及

一電容結(jié)構(gòu)，形成于所述電容接觸結(jié)構(gòu)上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，所述第一氣隙的一底表面齊平于或低于所述絕緣間隔物的所述底表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，所述第一氣隙的所述第一部分橫向延伸至所述絕緣間隔物的所述底表面的正下方。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，還包括：

一襯層，形成于所述電容接觸結(jié)構(gòu)的側(cè)壁且環(huán)繞所述電容接觸結(jié)構(gòu)，其中所述襯層位于所述第二部分與所述第三部分之間，使所述第二部分與所述第三部分彼此隔離。