[發(fā)明專利]一種基于雙通道DDR3的SAR數(shù)據(jù)存儲和訪問方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110129411.0 | 申請日: | 2021-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN112947854B | 公開(公告)日: | 2022-08-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王國慶;謝宜壯;陳禾;陳亮 | 申請(專利權(quán))人: | 北京理工大學(xué) |
| 主分類號: | G06F3/06 | 分類號: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 北京億騰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11309 | 代理人: | 陳霽 |
| 地址: | 100081 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 雙通道 ddr3 sar 數(shù)據(jù) 存儲 訪問 方法 裝置 | ||
本申請實(shí)施例公開了一種基于雙通道DDR3的SAR數(shù)據(jù)存儲和訪問方法及裝置,方法包括:將SAR數(shù)據(jù)矩陣分塊后的子矩陣數(shù)據(jù)中相鄰兩行的數(shù)據(jù)以交叉映射方法存儲至第一DDR3中;設(shè)計(jì)兩組獨(dú)立的存儲單元第一DDR3和第二DDR3,在SAR成像系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)雙通道流水式處理。本申請實(shí)施例提高了RAM的利用率,提高了SAR數(shù)據(jù)的訪問效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及雷達(dá)實(shí)時成像處理技術(shù)領(lǐng)域。尤其涉及一種基于雙通道DDR3的SAR數(shù)據(jù)存儲和訪問方法及裝置。
背景技術(shù)
合成孔徑雷達(dá)(Synthetic Aperture Radar,SAR)是具有全天時、全天候、遠(yuǎn)距離等諸多優(yōu)點(diǎn)的高分辨率成像雷達(dá)。由雷達(dá)成像的理論可以知道,要想使SAR具有更高分辨率的成像能力,就必須獲取更多的數(shù)據(jù)量,所以高分辨SAR成像技術(shù)面臨著大容量數(shù)據(jù)存儲與處理的挑戰(zhàn)。為了獲得高分辨率的SAR圖像,需要對這些海量的數(shù)據(jù)進(jìn)行多次兩維矩陣操作。根據(jù)現(xiàn)有的技術(shù)條件,在SAR成像實(shí)時處理系統(tǒng)中,SAR的原始回波數(shù)據(jù)需要在第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic RandomAccess Memory,DDR3 SDRAM)(以下簡稱DDR3)中進(jìn)行存儲。但由于芯片內(nèi)部行激活、預(yù)充電時間的存在,在利用現(xiàn)場可編程門陣列(Field Programmable Gate Array,F(xiàn)PGA)對DDR3進(jìn)行跳行讀寫數(shù)據(jù)時,其讀寫效率會嚴(yán)重下降,使得矩陣轉(zhuǎn)置操作成為制約整個成像系統(tǒng)實(shí)時處理的瓶頸。
發(fā)明內(nèi)容
由于現(xiàn)有方法存在隨機(jī)存取存儲器(Random Access Memory,RAM)利用率和數(shù)據(jù)訪問效率低的問題,本申請實(shí)施例提出一種基于雙通道DDR3的SAR數(shù)據(jù)存儲和訪問方法及裝置。
第一方面,本申請實(shí)施例提出一種基于雙通道DDR3的SAR數(shù)據(jù)存儲和訪問方法,包括:
S901,將SAR數(shù)據(jù)矩陣劃分為若干個大小相等的子矩陣;
S902,將各個子矩陣按照順序映射至第一DDR3中;其中,子矩陣的大小等于所述第一DDR3 一行可以存儲的數(shù)據(jù)個數(shù);
S903,將各個子矩陣中的數(shù)據(jù)按照交叉映射的方式對應(yīng)存儲至所述第一DDR3中的各行;其中,所述第一DDR3中的各行存儲的數(shù)據(jù)為第一待處理數(shù)據(jù);
S904,在SAR算法流程的本次操作中,從所述第一DDR3中讀取第一閾值個數(shù)第一待處理數(shù)據(jù)并對其進(jìn)行與本次操作對應(yīng)的第一處理,得到第一閾值個數(shù)與本次操作對應(yīng)的第一處理相應(yīng)的第一數(shù)據(jù),在將所述第一閾值個數(shù)與本次操作對應(yīng)的第一處理相應(yīng)的第一數(shù)據(jù)寫入第二 DDR3中的同時,從所述第一DDR3中讀取下一第一閾值個數(shù)所述第一待處理數(shù)據(jù),重復(fù)讀取與寫入,直到所述第一DDR3中的所有第一待處理數(shù)據(jù)全部經(jīng)過所述與本次操作對應(yīng)的第一處理,并將得到的與本次操作對應(yīng)的第一處理相應(yīng)的第一數(shù)據(jù)全部寫入第二DDR3中;
S905,在SAR算法流程的該次操作中,從所述第二DDR3中讀取第二閾值個數(shù)與本次操作對應(yīng)的第一處理相應(yīng)的第一數(shù)據(jù)并對其進(jìn)行與該次操作對應(yīng)的第二處理,得到第二閾值個數(shù)與該次操作對應(yīng)的第二處理相應(yīng)的第二數(shù)據(jù),在將所述第二閾值個數(shù)與該次操作對應(yīng)的第二處理相應(yīng)的第二數(shù)據(jù)寫入第一DDR3中的同時,從所述第二DDR3中讀取下一第二閾值個數(shù)與本次操作對應(yīng)的第一處理相應(yīng)的第一數(shù)據(jù),重復(fù)讀取與寫入,直到所述第二DDR3中的所有與本次操作對應(yīng)的第一處理相應(yīng)的第一數(shù)據(jù)全部經(jīng)過所述與該次操作對應(yīng)的第二處理,并將得到的與該次操作對應(yīng)的第二處理相應(yīng)的第二數(shù)據(jù)全部寫入第一DDR3中;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京理工大學(xué),未經(jīng)北京理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110129411.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G06F 電數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理
G06F3-00 用于將所要處理的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變成為計(jì)算機(jī)能夠處理的形式的輸入裝置;用于將數(shù)據(jù)從處理機(jī)傳送到輸出設(shè)備的輸出裝置,例如,接口裝置
G06F3-01 .用于用戶和計(jì)算機(jī)之間交互的輸入裝置或輸入和輸出組合裝置
G06F3-05 .在規(guī)定的時間間隔上,利用模擬量取樣的數(shù)字輸入
G06F3-06 .來自記錄載體的數(shù)字輸入,或者到記錄載體上去的數(shù)字輸出
G06F3-09 .到打字機(jī)上去的數(shù)字輸出
G06F3-12 .到打印裝置上去的數(shù)字輸出
- 支持DDR2和DDR3雙內(nèi)存模式的AMD平臺主板
- DDR2轉(zhuǎn)DDR3子卡
- 一種測試DDR3數(shù)據(jù)有效窗口的方法和裝置
- 一種可兼容DDR2和DDR3的OCD模塊
- 一種降低DDR3內(nèi)存寫操作功耗的實(shí)現(xiàn)方法
- 一種基于國產(chǎn)FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設(shè)計(jì)方法
- DDR3接口中的FPGA設(shè)備的復(fù)位、讀寫校準(zhǔn)方法及設(shè)備
- 一種基于DDR3的高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存結(jié)構(gòu)
- 一種在DDR3中基于時分復(fù)用進(jìn)行讀寫控制的裝置
- 一種支持DDR3內(nèi)存的主板及計(jì)算機(jī)





