[發明專利]攝像裝置在審
| 申請號: | 202110102351.3 | 申請日: | 2016-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN112929586A | 公開(公告)日: | 2021-06-08 |
| 發明(設計)人: | 三宅康夫;村上雅史;玉置德彥;佐藤嘉晃 | 申請(專利權)人: | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號: | H04N5/369 | 分類號: | H04N5/369;H04N5/357;H04N5/361 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 呂文卓 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 裝置 | ||
本公開的攝像裝置具有:多個單位像素單元,各個單位像素單元包括第1電極、與第1電極對置的第2電極、第1電極和第2電極之間的光電變換層、與第1電極電連接的電荷蓄積區域、以及與電荷蓄積區域電連接的信號檢測電路;以及電壓供給電路,與第2電極電連接,并且在用于將通過光電變換而生成的電荷蓄積于電荷蓄積區域中的期間即曝光期間中向第2電極提供第1電壓,在非曝光期間中向第2電極提供與第1電壓不同的第2電壓,曝光期間的開始及結束在多個單位像素單元之間是相同的。
本申請是申請日為2016/11/11、申請號為201680005377.3、發明名稱為“攝像裝置”的中國專利申請的分案申請。
技術領域
本公開涉及攝像裝置。
背景技術
以往已知有利用了光電變換的圖像傳感器。例如,具有光電二極管的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:互補金屬氧化物半導體)型圖像傳感器廣為采用。CMOS型圖像傳感器具有低功耗、能夠進行每個像素的存取的特長。CMOS型圖像傳感器通常采用所謂卷簾快門作為信號的讀出方式,按照像素陣列的每行順序進行曝光及信號電荷的讀出。
在卷簾快門動作中,曝光的開始及結束因像素陣列的每行而不同。因此,在拍攝高速移動的物體時,作為物體的像有時得到變形的像,在使用了閃光燈時,在圖像內有時產生明亮度的差異。鑒于這種情況,具有對像素陣列中的所有像素使曝光的開始及結束相同的所謂全局快門功能的需求。
例如,下述的專利文獻1公開了能夠進行全局快門動作的CMOS型圖像傳感器。在專利文獻1所記載的技術中,對多個像素分別設置傳輸晶體管和電荷蓄積單元(電容器或者二極管)。在各個像素內,電荷蓄積單元通過傳輸晶體管與光電二極管連接。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:美國專利申請公開第2007/0013798號說明書
發明內容
發明要解決的問題
本公開提供抑制像素內的電路的復雜化、并且能夠實現全局快門功能的攝像裝置。
用于解決問題的手段
根據本公開的非限定性的某個示例性的實施方式,提供以下技術。
一種攝像裝置,具有:多個單位像素單元,各個單位像素單元包括第1電極、與所述第1電極對置的第2電極、所述第1電極和所述第2電極之間的光電變換層、與所述第1電極電連接的電荷蓄積區域、以及與所述電荷蓄積區域電連接的信號檢測電路;以及電壓供給電路,與所述第2電極電連接,并且在用于將通過光電變換而生成的電荷蓄積于所述電荷蓄積區域中的期間即曝光期間中向所述第2電極提供第1電壓,在非曝光期間中向所述第2電極提供與所述第1電壓不同的第2電壓,所述曝光期間的開始及結束在所述多個單位像素單元之間是相同的。
概括性的或具體的方式也可由元件、器件、裝置、系統、集成電路、方法或者計算機程序來實現。并且,概括性的或具體的方式也可通過元件、器件、裝置、系統、集成電路、方法及計算機程序的任意組合來實現。
所公開的實施方式的追加性效果及優點根據說明書及附圖得到明確。效果及/或優點由在說明書及附圖中公開的各個實施方式或者特征單獨實現,為了得到這些效果及/或優點中一個以上的效果及/或優點,不一定需要上述全部要素。
發明效果
根據本公開的實施方式,能夠抑制像素內的電路的復雜化,實現全局快門功能。
附圖說明
圖1是表示本公開的實施方式的攝像裝置的示例性的電路結構的示意圖。
圖2是表示單位像素單元10的示例性的器件構造的剖面示意圖。
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