[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110088930.7 | 申請日: | 2021-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN113161393A | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 具素英;金宰范;全景辰;金億洙;林俊亨 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產(chǎn)權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;馮志云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本公開涉及顯示裝置,根據(jù)本公開的實施例的顯示裝置包括:基底;第一導電層,位于所述基底上;第一絕緣層,位于所述第一導電層上;有源圖案,位于所述第一絕緣層上,并且所述有源圖案包括半導體材料;第二絕緣層,位于所述有源圖案上;以及第二導電層,位于所述第二絕緣層上,其中,所述第一絕緣層具有暴露所述第一導電層的第一開口,所述第二絕緣層具有暴露所述第一導電層的第二開口,所述第一開口的寬度不同于所述第二開口的寬度,并且所述第一開口的側表面和所述第二開口的側表面被形成到所述第一導電層的頂表面。
本申請要求于2020年1月22日提交的第10-2020-0008722號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益,上述韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。
技術領域
本公開涉及顯示裝置。
背景技術
諸如液晶顯示器(LCD)和有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器等的顯示裝置包括顯示面板,所述顯示面板包括能夠顯示圖像的多個像素。每個像素包括用于接收數(shù)據(jù)信號的像素電極,并且像素電極連接到至少一個晶體管以接收數(shù)據(jù)信號。
為了制造顯示裝置,可以通過在基底上堆疊各種合適材料的各層并通過諸如包括利用光掩模曝光(例如,曝光)的光刻工藝的方法將各層圖案化來形成諸如晶體管的各種合適的電氣器件和導體。
在本背景技術部分中公開的以上信息僅用于增強對本公開的背景的理解,并且因此,以上信息可以包含不構成本領域普通技術人員已經(jīng)通常可獲悉的現(xiàn)有技術的信息。
發(fā)明內容
隨著在顯示裝置的制造工藝中利用的光掩模的數(shù)量的增加,顯示裝置的制造時間和制造成本會增加。
本公開的實施例的各方面涉及減少在顯示裝置的制造工藝中利用的光掩模的數(shù)量,從而減少了顯示裝置的制造時間和制造成本,并且還減少了制造工藝中的半導體層的損壞。
另外,本公開的實施例的各方面涉及這樣的顯示裝置,該顯示裝置減小了一個像素的面積,并且通過減少被堆疊在顯示裝置的基底上的不同層之間的接觸的開口的數(shù)量而具有高分辨率。
根據(jù)本公開的實施例的顯示裝置包括:基底;第一導電層,位于所述基底上;第一絕緣層,位于所述第一導電層上;有源圖案,位于所述第一絕緣層上,并且所述有源圖案包括半導體材料;第二絕緣層,位于所述有源圖案上;以及第二導電層,位于所述第二絕緣層上,其中,所述第一絕緣層具有暴露所述第一導電層的第一開口,所述第二絕緣層具有暴露所述第一導電層的第二開口,所述第一開口在寬度上不同于所述第二開口,并且所述第一開口的側表面和所述第二開口的側表面被形成到所述第一導電層的頂表面。
所述第二導電層可以包括第一電極,并且所述第一電極可以通過所述第二開口電連接到所述第一導電層。
所述第二絕緣層可以具有暴露所述有源圖案的第三開口,并且所述第一電極可以通過所述第三開口電連接到所述有源圖案。
在所述顯示裝置中還可以包括位于所述有源圖案上的第三絕緣層和位于所述第三絕緣層上的第三導電層,并且在剖面圖中,在所述第二導電層和所述第三導電層之間可以沒有其他導電層。
所述第三絕緣層的側表面可以與所述第三導電層的側表面對齊。
所述第一導電層可以包括與所述有源圖案重疊的導電圖案,所述第二導電層可以包括通過所述第二開口電連接到所述導電圖案的像素電極,并且在所述顯示裝置中還可以包括發(fā)射層和位于所述像素電極上的公共電極。
所述第一導電層可以包括數(shù)據(jù)線,并且所述第二導電層可以包括通過所述第二開口電連接到所述數(shù)據(jù)線的連接構件。
所述有源圖案的側表面可以與所述第一開口的側表面對齊。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





