[發明專利]一種適合3DP打印技術的低密度雙相高熵合金粉體及其制備方法在審
| 申請號： | 202110084237.2 | 申請日： | 2021-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN112692275A | 公開（公告）日： | 2021-04-23 |
| 發明（設計）人： | 朱德智;劉是文;鄭振興;劉一雄;陳維平;李小強 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | B22F1/00 | 分類號： | B22F1/00;B22F9/04;C22C30/00;C22C30/02;B33Y70/00 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕強 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 適合 dp 打印 技術 密度 雙相高熵 合金粉 及其 制備 方法 | ||
1.一種適合3DP打印技術的低密度雙相高熵合金粉體，其特征在于，按照摩爾比來計，包括：
2.根據權利要求1所述的適合3DP打印技術的低密度雙相高熵合金粉體，其特征在于，該低密度雙相高熵合金粉體具有微觀尺度的雙相結構；所述雙相結構為FCC/BCC或FCC/HCP。
3.根據權利要求1所述的適合3DP打印技術的低密度雙相高熵合金粉體，其特征在于，該低密度雙相高熵合金粉體的密度為3.5-5.43g/cm3。
4.根據權利要求1所述的適合3DP打印技術的低密度雙相高熵合金粉體，其特征在于，該低密度雙相高熵合金粉體的粒度為10-100μm。
5.一種制備權利要求1-4任一項所述的適合3DP打印技術的低密度雙相高熵合金粉體的方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)稱取Al、Ti、V、Cr、Mg、Ni、Cu、Si、B粉末，混合均勻，得到混合粉末；
(2)將步驟(1)所述混合粉末進行球磨處理，得到合金化的高熵合金粉末；
(3)在真空條件下將步驟(2)所述合金化的高熵合金粉末進行篩分，取粒度為10-100μm粉體，得到所述適合3DP打印技術的低密度雙相高熵合金粉體。
6.根據權利要求5所述的適合3DP打印技術的低密度雙相高熵合金粉體的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述混合的時間為2-16h；所述混合是在氬氣氣氛下進行的。
7.根據權利要求5所述的適合3DP打印技術的低密度雙相高熵合金粉體的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述球磨處理的時間為8-40h；所述球磨處理的方式為間歇式球磨，每球磨15-45min停機冷卻2-5min，再次啟動時反向運轉，往復循環直至預設球磨時間。
8.根據權利要求5所述的適合3DP打印技術的低密度雙相高熵合金粉體的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述球磨處理的溫度為0-18℃。
9.根據權利要求5所述的適合3DP打印技術的低密度雙相高熵合金粉體的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述球磨處理是在惰性氣氛下進行的。
10.根據權利要求7-9所述的適合3DP打印技術的低密度雙相高熵合金粉體的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述球磨處理的轉速為120-480r/min，球磨處理的球料比為4:1-10:1。
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