[發(fā)明專(zhuān)利]一種激光三維焦平面讀出電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110080928.5
• 申請(qǐng)日: 2021-01-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112903122B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何少偉;魯競(jìng)原;王振坤;李國(guó)棟;呂堅(jiān)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G01J11/00
• 分類(lèi)號(hào): G01J11/00
• 代理公司: 成都行之專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 林菲菲

1.一種激光三維焦平面讀出電路，其特征在于，該電路包括光電探測(cè)器（1）、脈沖檢測(cè)電路（2）、時(shí)間幅值轉(zhuǎn)換電路（3）和強(qiáng)度信息積分電路（4）；

所述光電探測(cè)器（1）產(chǎn)生光電流；

所述光電探測(cè)器（1）的輸出端與所述脈沖檢測(cè)電路（2）的選擇開(kāi)關(guān)S1連接；所述脈沖檢測(cè)電路（2）輸出信號(hào)Q控制所述選擇開(kāi)關(guān)S1選擇將所述光電探測(cè)器（1）輸出的光電流信號(hào)輸入到所述脈沖檢測(cè)電路（2）或輸入到所述強(qiáng)度信息積分電路（4）；

所述脈沖檢測(cè)電路（2）輸出的信號(hào)Q還用于控制所述時(shí)間幅值轉(zhuǎn)換電路（3）的采樣開(kāi)關(guān)S2使得所述時(shí)間幅值轉(zhuǎn)換電路（3）輸入外部斜坡信號(hào)ramp進(jìn)行采樣并保持，并輸出時(shí)間幅值信號(hào)V_{out_3D}；

所述強(qiáng)度信息積分電路（4）與所述脈沖檢測(cè)電路（2）的選擇開(kāi)關(guān)S1選擇輸出端連接，對(duì)光電流完全積分，輸出強(qiáng)度幅值信號(hào)V_{out_2D}；

所述脈沖檢測(cè)電路（2）包括選擇開(kāi)關(guān)S1、MOS管等效電容C_mos和控制電路；

所述選擇開(kāi)關(guān)S1的輸入為所述光電探測(cè)器（1）輸出的電流信號(hào)；

所述選擇開(kāi)關(guān)S1的輸出連接所述MOS管等效電容C_mos和所述強(qiáng)度信息積分電路（4）的積分電容C_2D；

所述選擇開(kāi)關(guān)S1輸出的選擇由所述控制電路輸出信號(hào)Q的電平控制；

所述MOS管等效電容C_mos用于檢測(cè)所述光電探測(cè)器（1）輸出的電流信號(hào)并為所述控制電路提供輸入電平。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光三維焦平面讀出電路，其特征在于，所述光電探測(cè)器（1）用于接收光脈沖信號(hào)并將其轉(zhuǎn)換為電流信號(hào)；

所述光電探測(cè)器（1）采用MOS管mp0傳輸電流信號(hào)；

所述MOS管mp0的柵極接偏壓Vdi，所述MOS管mp0的源極輸入電流信號(hào)，所述MOS管mp0的漏極與所述脈沖檢測(cè)電路的選擇開(kāi)關(guān)S1連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光三維焦平面讀出電路，其特征在于，所述控制電路包括MOS管mp1、MOS管mp2、MOS管mn1和MOS管mn2；

所述MOS管mp1的源極接電源，所述MOS管mp1的漏極與所述MOS管mp2的源極連接，所述MOS管mp1的柵極接控制信號(hào)pbias；

所述MOS管mp2的漏極與所述MOS管mn1的漏極連接，所述MOS管mp2的柵極、所述MOS管mn1的柵極均與所述MOS管等效電容C_mos連接；

所述MOS管mn1的源極與所述MOS管mn2的漏極連接；

所述MOS管mn2的源極接地，所述MOS管mn2的柵極接控制信號(hào)nbias；

所述MOS管mp2與所述MOS管mn1的漏極端信號(hào)作為所述控制電路的輸出信號(hào)Q，用于控制所述選擇開(kāi)關(guān)S1的輸出選擇；初始信號(hào)為高電平時(shí)控制所述選擇開(kāi)關(guān)S1的輸出連接所述MOS管等效電容C_mos，隨著MOS管等效電容C_mos積累電荷增加，MOS管mp2與MOS管mn1柵極電平增加，MOS管mp2與MOS管mn1漏極為低電平，此時(shí)控制所述選擇開(kāi)關(guān)S1的輸出為所述強(qiáng)度信息積分電路（4）的積分電容C_2D。