[發(fā)明專利]用于微納米粒子分選的聲學(xué)微流控裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110077764.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112916058B | 公開(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔魏巍;李星辰;馬克·瑞德 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B01L3/00 | 分類號(hào): | B01L3/00 |
| 代理公司: | 北京華夏正合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11017 | 代理人: | 韓登營 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 納米 粒子 分選 聲學(xué) 微流控 裝置 | ||
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于微納米粒子分選的聲學(xué)微流控裝置,包括:襯底,襯底上布設(shè)有聲學(xué)激勵(lì)源陣列,位于聲學(xué)激勵(lì)源陣列上方鍵合有微流道;所述微流道的寬度橫跨聲學(xué)激勵(lì)源陣列;所述聲學(xué)激勵(lì)源陣列包括陣列化排列的多個(gè)聲學(xué)激勵(lì)源,各聲學(xué)激勵(lì)源由頂電極與底電極連接,通過聲學(xué)激勵(lì)源陣列,可以提高粒子分選能力。較佳的,聲學(xué)激勵(lì)源陣列中的任意數(shù)量的聲學(xué)激勵(lì)源均形成非閉環(huán)結(jié)構(gòu)的回路,可以降低各聲學(xué)激勵(lì)源之間的干擾。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及聲操控技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種用于微納米粒子分選的聲學(xué)微流控裝置。
背景技術(shù)
聲學(xué)微流控(或稱聲鑷)技術(shù)是目前研究活躍的交叉學(xué)科領(lǐng)域。主要應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)、化學(xué)等方面。聲鑷能夠通過在微納米尺度的微粒上施加聲輻射力,實(shí)現(xiàn)對(duì)微納米尺度的微粒分選(如分離或篩選)的操控。
相比于光鑷來說,由于聲鑷對(duì)傳播介質(zhì)的光透明度沒有要求、在單位輸入能量下的捕捉力遠(yuǎn)大于光鑷,可以用更低的能量捕捉相同尺寸的微粒,減少對(duì)微粒造成損傷的危險(xiǎn)或者在相同能量下捕捉更大尺寸的微粒,這些優(yōu)勢(shì)使得聲學(xué)微流控在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域,尤其在醫(yī)學(xué)診斷中具有重大應(yīng)用場(chǎng)景。
而目前聲鑷存在分選極限不足(低于1微米難以有效分離),且通量低等問題,嚴(yán)重限制了其應(yīng)用。因此,如何能提供一種提高粒子捕獲或分選能力的聲鑷是本申請(qǐng)所要解決的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)的以上問題,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N用于微納米粒子分選的聲學(xué)微流控裝置,以能提高粒子的捕獲或分選能力。
為達(dá)到上述目的,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于微納米粒子分選的聲學(xué)微流控裝置,其特征在于,包括:
襯底,襯底上布設(shè)有聲學(xué)激勵(lì)源陣列,位于聲學(xué)激勵(lì)源陣列上方鍵合有微流道;
所述微流道的寬度橫跨聲學(xué)激勵(lì)源陣列;
所述聲學(xué)激勵(lì)源陣列包括陣列化排列的多個(gè)聲學(xué)激勵(lì)源。
由上,通過聲學(xué)激勵(lì)源陣列,可提高粒子的捕獲或分選能力,具體來說:進(jìn)行粒子捕獲時(shí),經(jīng)過聲學(xué)激勵(lì)源陣列各行依次進(jìn)行多次捕捉,在保證粒子捕捉尺寸的條件下,大大提高了高通量流體環(huán)境中粒子的捕捉能力。進(jìn)行篩分粒子時(shí),可以在固定通量下捕獲較大的粒子,使較小的粒子通過,從而實(shí)現(xiàn)粒子的篩分。對(duì)于多種粒子存在的環(huán)境,可以使用多個(gè)該裝置級(jí)聯(lián)以實(shí)現(xiàn)更精確的篩分效果。
其中,所述聲學(xué)激勵(lì)源陣列中的各聲學(xué)激勵(lì)源為矩形陣列結(jié)構(gòu),每行聲學(xué)激勵(lì)源由同一頂電極相連,每列聲學(xué)激勵(lì)源由同一底電極相連,各聲學(xué)激勵(lì)源位于所述頂電極與底電極交疊處。
由上是一種聲學(xué)激勵(lì)源陣列的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,便于電路布設(shè)。
其中,所述聲學(xué)激勵(lì)源陣列中的任意數(shù)量的聲學(xué)激勵(lì)源均形成非閉環(huán)結(jié)構(gòu)的電路路徑。
由上,避免了各聲學(xué)激勵(lì)源出現(xiàn)的閉環(huán)結(jié)構(gòu),可以有效避免各聲學(xué)激勵(lì)源之間的干擾,且,進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)每個(gè)位點(diǎn)的聲學(xué)激勵(lì)源均可被單獨(dú)控制并獲取等量的功率。
其中,各聲學(xué)激勵(lì)源由單一的頂電極相連,每個(gè)聲學(xué)激勵(lì)源與每個(gè)單獨(dú)的底電極相連。
由上,是實(shí)現(xiàn)避免各聲學(xué)激勵(lì)源出現(xiàn)的閉環(huán)結(jié)構(gòu)的一種可選的電路路徑。由于每個(gè)聲學(xué)激勵(lì)源與每個(gè)單獨(dú)的底電極相連,可采用單一的頂電極,電路布設(shè)方便,供電方便。
其中,各聲學(xué)激勵(lì)源分為多組,由對(duì)應(yīng)多個(gè)頂電極相連;每個(gè)聲學(xué)激勵(lì)源與每個(gè)單獨(dú)的底電極相連。
由上,是實(shí)現(xiàn)避免各聲學(xué)激勵(lì)源出現(xiàn)的閉環(huán)結(jié)構(gòu)的一種可選的電路路徑。由于每個(gè)聲學(xué)激勵(lì)源與每個(gè)單獨(dú)的底電極相連,也可根據(jù)電路布設(shè)需要采用多組的頂電極。
其中,各聲學(xué)激勵(lì)源分為多組,由對(duì)應(yīng)多個(gè)頂電極相連,每組中的每個(gè)聲學(xué)激勵(lì)源與每個(gè)單獨(dú)的底電極相連,且一組中的一底電極連接其他組的聲學(xué)激勵(lì)源底電極時(shí),形成非閉環(huán)結(jié)構(gòu)的電路路徑。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于天津大學(xué),未經(jīng)天津大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110077764.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





