[發(fā)明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110068881.0
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN112885778B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發(fā)明（設計）人: 王蒙蒙;黃信斌
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205
• 代理人: 張海明;臧建明

本發(fā)明提供一種半導體結構及其制造方法，該半導體結構的制造方法包括：提供襯底；在襯底上形成中間層，中間層中形成有工形構件和壁狀構件；其中，壁狀構件的頂表面不低于工形構件的頂表面，壁狀構件的底表面不高于工形構件的底表面，通過壁狀構件對工形構件進行保護，提高半導體結構的可靠性。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體結構及其制造方法。

背景技術

在半導體制造工藝中，通過光刻、刻蝕、沉積等工藝可以在半導體襯底上形成半導體結構，例如芯片，所形成的芯片通常包括半導體器件以及設置在半導體器件上的互連結構。

半導體襯底上可以形成多個芯片，這些芯片從半導體襯底上切割下來并封裝后形成多個獨立的芯片。在對這些芯片進行切割的過程中，切割工具產(chǎn)生的應力會對芯片的邊緣造成損害，導致芯片發(fā)生崩塌或者斷裂，使芯片失效，導致半導體結構的可靠性降低。此外，水汽或者其他氣液易從側面滲透，對芯片造成侵蝕、損害，導致芯片失效，進一步降低半導體結構的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，本發(fā)明實施例提供一種半導體結構及其制造方法，用于提高半導體結構的可靠性。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供如下技術方案：

第一方面，本發(fā)明實施例提供一種半導體結構的制造方法，包括：提供襯底；在所述襯底上形成中間層，所述中間層中形成有工形構件和壁狀構件；其中，所述壁狀構件的頂表面不低于所述工形構件的頂表面，所述壁狀構件的底表面不高于所述工形構件的底表面。

可選的，所述壁狀構件一體成型。

可選的，所述工形構件的上部和中部與所述壁狀構件在同一步驟中形成。

可選的，所述工形構件的上部和中部與所述壁狀構件在同一步驟中形成，包括：在所述襯底上形成第一介質層；在所述第一介質層中形成所述工形構件的底部；在所述第一介質層和所述工形構件的底部上形成第二介質層；在所述第二介質層中分別形成第一開口和第二開口，其中，所述第一開口暴露所述工形構件的底部，所述第二開口貫穿所述第二介質層并延伸至所述第一介質層中；在所述第一開口中形成所述工形構件的中部和上部，同時在所述第二開口中形成所述壁狀構件。

可選的，所述在所述第二介質層中分別形成第一開口和第二開口的步驟包括：在所述第二介質層上形成具有第一圖案和第二圖案的第一光刻膠層；利用所述第一圖案和所述第二圖案刻蝕所述第二介質層分別形成第一初始開口和第二初始開口；在所述第二介質層上形成具有第三圖案和第四圖案的第二光刻膠層，所述第三圖案暴露所述第一初始開口以及部分所述第二介質層，所述第四圖案暴露出所述第二初始開口；利用所述第三圖案刻蝕部分所述第二介質層形成所述第一開口以及利用所述第四圖案刻蝕所述第一介質層形成所述第二開口。

可選的，還包括：利用所述第三圖案刻蝕部分所述第二介質層形成所述第一開口以及利用所述第二初始開口刻蝕所述第一介質層形成所述第二開口在同一步驟中完成。

可選的，還包括：填充導電材料于所述第一開口和所述第二開口中分別形成所述工形構件的上部和中部以及所述壁狀構件。

可選的，所述襯底包括芯片區(qū)和外圍區(qū)，所述工形構件和所述壁狀構件分別位于所述芯片區(qū)和所述外圍區(qū)。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供一種半導體結構，包括襯底，位于所述襯底上的中間層；工形構件和壁狀構件，位于所述中間層中；其中，所述壁狀構件的頂表面不低于所述工形構件的頂表面，所述壁狀構件的底表面不高于所述工形構件的底表面。

可選的，所述工形構件的上部和中部一體成型，所述壁狀構件一體成型。

可選的，所述中間層包括：第一介質層和第二介質層；所述工形構件的上部和中部位于所述第二介質層中，所述工形構件的下部位于所述第一介質層中，所述壁狀構件位于所述第二介質層和所述第一介質層中。