[發(fā)明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110068881.0
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN112885778B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發(fā)明（設計）人: 王蒙蒙;黃信斌
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張海明;臧建明

1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成中間層，所述中間層中形成有工形構件和壁狀構件；

所述工形構件的上部和中部與所述壁狀構件在同一步驟中形成，包括：

在所述襯底上形成第一介質層；

在所述第一介質層中形成所述工形構件的底部；

在所述第一介質層和所述工形構件的底部上形成第二介質層；

在所述第二介質層中分別形成第一開口和第二開口，其中，所述第一開口暴露所述工形構件的底部，所述第二開口貫穿所述第二介質層并延伸至所述第一介質層中；

填充導電材料于所述第一開口和所述第二開口中分別形成所述工形構件的上部和中部以及所述壁狀構件；

其中，所述襯底包括芯片區(qū)和外圍區(qū)，所述工形構件為芯片的導電互連結構且位于所述芯片區(qū)，所述壁狀構件為芯片的保護環(huán)狀壁的一部分且位于所述外圍區(qū)，所述壁狀構件的寬度上下一致，且所述壁狀構件的寬度大于所述工形構件的中部的寬度，所述壁狀構件環(huán)繞所述工形構件，所述壁狀構件的頂表面不低于所述工形構件的頂表面，所述壁狀構件的底表面不高于所述工形構件的底表面。

2.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二介質層中分別形成第一開口和第二開口的步驟包括：

在所述第二介質層上形成具有第一圖案和第二圖案的第一光刻膠層；

利用所述第一圖案和所述第二圖案刻蝕所述第二介質層分別形成第一初始開口和第二初始開口；

在所述第二介質層上形成具有第三圖案和第四圖案的第二光刻膠層，所述第三圖案暴露所述第一初始開口以及部分所述第二介質層，所述第四圖案暴露出所述第二初始開口；

利用所述第三圖案刻蝕部分所述第二介質層形成所述第一開口以及利用所述第四圖案刻蝕所述第一介質層形成所述第二開口。

3.根據(jù)權利要求2所述的制造方法，其特征在于，還包括：

利用所述第三圖案刻蝕部分所述第二介質層形成所述第一開口以及利用所述第二初始開口刻蝕所述第一介質層形成所述第二開口在同一步驟中完成。

4.一種半導體結構，其特征在于，采用權利要求1-3任一項所述的制造方法制備，所述半導體結構包括：

襯底；

位于所述襯底上的中間層；

工形構件和壁狀構件，位于所述中間層中；

其中，所述襯底包括芯片區(qū)和外圍區(qū)，所述工形構件為芯片的導電互連結構且位于所述芯片區(qū)，所述壁狀構件為芯片的保護環(huán)狀壁的一部分且位于所述外圍區(qū)，所述壁狀構件的寬度上下一致，且所述壁狀構件的寬度大于所述工形構件的中部的寬度，所述壁狀構件環(huán)繞所述工形構件，所述壁狀構件的頂表面不低于所述工形構件的頂表面，所述壁狀構件的底表面不高于所述工形構件的底表面；

所述工形構件的上部和中部一體成型，所述壁狀構件一體成型；

所述中間層包括：第一介質層和第二介質層；所述工形構件的上部和中部位于所述第二介質層中，所述工形構件的下部位于所述第一介質層中，所述壁狀構件位于所述第二介質層和所述第一介質層中；

所述工形構件的上部和中部與所述壁狀構件在同一步驟中形成。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述壁狀構件的寬度等于所述工形構件的上部的寬度；所述工形構件的上部的寬度不小于所述工形構件的底部的寬度。