[發明專利]晶圓基板吸盤在審
| 申請號: | 202110068118.8 | 申請日: | 2021-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN112885765A | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 李凡月;沈寶良;黃偉 | 申請(專利權)人: | 拾斛科技(南京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;G02B3/00 |
| 代理公司: | 南京睿之博知識產權代理有限公司 32296 | 代理人: | 周中民 |
| 地址: | 211800 江蘇省南京市江北*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓基板 吸盤 | ||
1.一種晶圓基板吸盤,包括吸盤本體,其特征在于:所述吸盤本體具有用于吸附固定晶圓基板的吸盤工作面和用于反射光線的反光結構層,所述反光結構層布置于吸盤工作面的背光面,并平行于吸盤工作面,當光線從吸盤工作面的迎光面透射過吸盤工作面后,在反光結構層發生反射,從反光結構層反射的光線再次經過吸盤工作面射出晶圓基板吸盤,或從吸盤工作面與反光結構層中間的側向端面射出晶圓基板吸盤。
2.根據權利要求1所述的一種晶圓基板吸盤,其特征在于:所述反光結構層為具有反射照明或曝光光源能力的單層介質膜、多層介質膜、金屬膜或光柵結構。
3.根據權利要求2所述的一種晶圓基板吸盤,其特征在于:所述反光結構層至少為兩層,且彼此相互平行。
4.根據權利要求3所述的一種晶圓基板吸盤,其特征在于:相鄰兩層反光結構層之間設置一層透光結構層。
5.根據權利要求1所述的一種晶圓基板吸盤,其特征在于:所述吸盤工作面設置真空吸附區域與距離傳感器探測區域,真空吸附區域與距離傳感器探測區域共面設置,真空吸附區域用于放置并吸附晶圓基板,距離傳感器探測區域設置為距離傳感器的探測面。
6.根據權利要求5所述的一種晶圓基板吸盤,其特征在于:所述探測面為適用于接觸式傳感器的接觸平面或適用于非接觸式傳感器的測量光反射面。
7.根據權利要求6所述的一種晶圓基板吸盤,其特征在于:所述距離傳感器探測區域環繞于真空吸附區域的周圍。
8.根據權利要求1所述的一種晶圓基板吸盤,其特征在于:所述反光結構層底面設置金屬結構層。
9.根據權利要求1所述的一種晶圓基板吸盤,其特征在于:所述晶圓基板為單片硅片晶圓、玻璃片晶圓或有機材料片狀晶圓,或上述三種晶圓中至少兩種晶圓的的層疊組合。
10.根據權利要求1所述的一種晶圓基板吸盤,其特征在于:所述照明或曝光光源為紫外光源。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





