[發明專利]用于增加角靈敏度的多像素檢測器及相關方法在審
| 申請號: | 202110064428.2 | 申請日: | 2018-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN112820750A | 公開(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發明(設計)人: | 陸震偉;錢胤;彭進寶;張博洋 | 申請(專利權)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 張潤 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 增加 靈敏度 像素 檢測器 相關 方法 | ||
1.一種用于增加多像素檢測器對入射其上的光的角靈敏度的方法,所述多像素檢測器具有基板,所述基板包括在第一方向上與第二光電二極管區域相鄰的第一光電二極管區域,所述方法包括:
對所述光賦予相移,以便所述光在與所述基板相交、與所述基板的上表面平行并包括所述第一方向的剖面平面中具有橢圓形強度分布,所述橢圓形強度分布具有(i)在所述第一方向上的第一寬度和(ii)在垂直于所述第一方向并在所述剖面平面中的第二方向上的超過所述第一寬度的第二寬度。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述相移具有(i)在第一方向上的具有N1個局部極大值的絕對值和(ii)在第二方向上的具有N2N1個局部極大值的絕對值。
3.一種用于形成微透鏡的方法,包括:
在基板的上基板表面上形成可回流材料的塊,所述可回流材料的塊具有與所述上基板表面相對的上塊表面,在所述上塊表面中具有朝所述上基板表面延伸的缺口;以及
熱回流所述可回流材料的塊以產生所述微透鏡。
4.根據權利要求3所述的方法,其中,所述基板包括在第一方向上與第二光電二極管區域相鄰的第一光電二極管區域,形成的步驟還包括:
形成塊,以便缺口具有在垂直于所述第一方向的第二方向上的寬度,和在所述第一方向上的長度,所述長度超過所述寬度。
5.根據權利要求4所述的方法,其中,在熱回流的步驟中,所述微透鏡具有:
在垂直于所述基板的上表面并包括所述第一光電二極管區域和所述第二光電二極管區域兩者的第一剖面平面中的具有N1個局部極大值的第一高度輪廓;以及
在垂直于所述第一剖面平面和所述上表面并僅包括所述第一光電二極管區域和所述第二光電二極管區域中的一個的第二剖面平面中的具有N2N1個局部極大值的第二高度輪廓。
6.根據權利要求5所述的方法,其中,
所述第一高度輪廓具有N1=1個局部極大值并以第一曲率半徑R1為特征;以及
所述第二高度輪廓包括對應于各自的曲率半徑R21R1和R22R1的第一局部極大值和第二局部極大值。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,所述曲率半徑R1=730±70納米。
8.根據權利要求6所述的方法,其中,所述曲率半徑R21和R22在(R21+R22)/2的百分之十以內為相等。
9.根據權利要求6所述的方法,其中,所述曲率半徑R21和R22等于580±60nm。
10.根據權利要求5所述的方法,其中,所述微透鏡具有730±70納米的最大厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





