[發明專利]一種顯示基板的制備方法、顯示基板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202110057134.7 | 申請日: | 2021-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN112736096A | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發明(設計)人: | 劉鳳娟;王珂;劉威;周天民 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 制備 方法 顯示裝置 | ||
本申請提供了一種顯示基板的制備方法、顯示基板及顯示裝置,其中顯示基板包括:柔性襯底;設置在柔性襯底一側的第一輔助電極,第一輔助電極與第一電源線連接;設置在柔性襯底背離第一金屬層一側的像素單元,像素單元包括:設置在柔性襯底背離第一金屬層一側的多個薄膜晶體管、絕緣層和第二輔助電極,第二輔助電極與第二電源線連接;其中,多個薄膜晶體管包括驅動晶體管,驅動晶體管的源極與第一輔助電極連接,漏極與發光器件的第一電極連接,發光器件的第二電極與第二輔助電極連接。本申請技術方案,通過增大第一輔助電極與第二輔助電極之間的距離,可以降低發生短路不良的概率,有助于提升產品良率和可靠性。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種顯示基板的制備方法、顯示基板及顯示裝置。
背景技術
薄膜晶體管驅動LED(Light Emitting Diode)的顯示技術中,由于LED顯示需要的驅動電流敏感度較高,輔助電極的壓降對驅動電流的影響較大,因此需要在LED顯示基板中制作較大面積的VDD輔助電極和VSS輔助電極,從而降低走線電阻,降低走線壓降。
然而,在實際制作過程中,較大面積的VDD輔助電極和VSS輔助電極之間極易發生短路,短路導致整個面板無法正常顯示,嚴重影響顯示產品的良率和可靠性。
發明內容
本發明提供一種顯示基板的制備方法、顯示基板及顯示裝置,以提升產品良率和可靠性。
為了解決上述問題,本發明公開了一種顯示基板,所述顯示基板包括:
柔性襯底;
設置在所述柔性襯底一側的第一金屬層,所述第一金屬層包括第一輔助電極,所述第一輔助電極與第一電源線連接;
設置在所述柔性襯底背離所述第一金屬層一側的像素單元,所述像素單元包括:設置在所述柔性襯底背離所述第一金屬層一側的多個薄膜晶體管,以及層疊設置在所述多個薄膜晶體管背離所述柔性襯底一側的絕緣層和第二輔助電極,所述絕緣層靠近所述柔性襯底設置,所述第二輔助電極與第二電源線連接;
其中,所述多個薄膜晶體管包括驅動晶體管,所述驅動晶體管的源極與所述第一輔助電極連接,所述驅動晶體管的漏極與所述發光器件的第一電極連接,所述發光器件的第二電極與所述第二輔助電極連接。
在一種可選的實現方式中,在所述柔性襯底與所述像素單元之間層疊設置有第二金屬層和平坦層,所述第二金屬層靠近所述柔性襯底設置,所述第二金屬層包括跨接電極,所述跨接電極與所述第一輔助電極通過設置在所述柔性襯底上的過孔連接,所述跨接電極還與所述驅動晶體管的源極連接。
在一種可選的實現方式中,所述第一輔助電極在所述柔性襯底上的正投影覆蓋所述跨接電極在所述柔性襯底上的正投影。
在一種可選的實現方式中,所述第一輔助電極在所述柔性襯底上的正投影面積與所述跨接電極在所述柔性襯底上的正投影面積相等。
在一種可選的實現方式中,所述平坦層的厚度大于或等于2微米且小于或等于3微米。
在一種可選的實現方式中,所述第一金屬層還包括綁定電極,所述第二金屬層還包括信號引線,所述信號引線與所述綁定電極通過設置在所述柔性襯底上的過孔連接。
在一種可選的實現方式中,所述驅動晶體管包括:層疊設置在所述平坦層背離所述柔性襯底一側的阻擋層、遮光層、緩沖層、有源層、柵極絕緣層、柵極、層間介質層以及源漏電極;
其中,所述阻擋層靠近所述柔性襯底設置,所述絕緣層設置在所述源漏電極背離所述柔性襯底的一側,所述源漏電極包括所述驅動晶體管的源極和漏極,所述驅動晶體管的源極與所述跨接電極通過設置在所述層間介質層、所述柵極絕緣層、所述緩沖層、所述阻擋層以及所述平坦層上的過孔連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





