[發明專利]一種芯片屏蔽與氣密封裝方法和封裝結構

有效

• 申請號: 202110056690.2
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN112820694B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 羅燕;高求;劉凱;丁蕾;張理正;王立春;曹向榮;陳凱
• 申請（專利權）人: 上海航天電子通訊設備研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/48;H01L23/02;H01L23/367;H01L23/538;H01L23/552
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 賀姿;胡晶

1.一種芯片屏蔽與氣密封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：鋁硅轉接板制作步驟，于所述鋁硅轉接板電氣互連的位置處加工若干第一通柱，所述第一通柱與所述鋁硅轉接板的縫隙中填充有玻璃漿料，于芯片埋置處加工若干芯片埋置槽，所述芯片埋置槽包括引線鍵合芯片埋置槽和/或倒裝芯片埋置槽，所述倒裝芯片埋置槽的底面加工有若干第二通柱，所述第二通柱與所述鋁硅轉接板的縫隙中填充有玻璃漿料；

S2：于所述引線鍵合芯片埋置槽內貼裝引線鍵合芯片和/或于所述倒裝芯片埋置槽內貼裝倒裝芯片，所述引線鍵合芯片通過鍵合線與所述第一通柱電連接，所述倒裝芯片通過焊球焊接于所述第二通柱上；

S3：對多層LCP電路板中的第一層LCP基板和第二層LCP基板的兩側面刻蝕傳輸線圖形，并對所述傳輸線圖形鍍上金屬層形成金屬化布線，所述第一層LCP基板與所述第二層LCP基板之間設置有第一連接層，所述第二層LCP基板的下表面設置有第二連接層；

S4：采用激光加工，于所述第一連接層、所述第二層LCP基板、所述第二連接層與所述引線鍵合芯片埋置槽位置對應處分別加工貫通所述第一連接層、所述第二層LCP基板、所述第二連接層的第一蓋板腔、第二蓋板腔、第三蓋板腔，采用激光加工于所述第二連接層與所述倒裝芯片埋置槽位置對應處加工貫通所述第二連接層的倒裝芯片蓋板腔，采用激光加工于電氣互連處加工若干用于連接所述第一層LCP基板與所述鋁硅轉接板、所述第二層LCP基板與所述鋁硅轉接板的互連孔，進而對所述互連孔進行金屬化形成互連導體；

S5：將所述第一層LCP基板、所述第一連接層、所述第二層LCP基板及所述第二連接層由上至下進行對位層壓形成氣密蓋板，所述第一蓋板腔、所述第二蓋板腔及所述第三蓋板腔對位形成引線鍵合芯片蓋板腔；

S6：將所述氣密蓋板與所述鋁硅轉接板進行對位層壓，所述引線鍵合芯片蓋板腔與所述引線鍵合芯片對位，所述倒裝芯片蓋板腔與所述倒裝芯片對位。

2.根據權利要求1所述的芯片屏蔽與氣密封裝方法，其特征在于，所述步驟S1具體包括：

S11：提供鋁硅基板；

S12：采用激光于所述鋁硅基板上加工若干引線鍵合芯片埋置槽和倒裝芯片埋置槽，采用激光將所述鋁硅基板電氣互連處外周的區域進行燒蝕，得到用于電氣互連的所述第一通柱及環繞所述第一通柱的第一凹槽，采用激光于所述倒裝芯片埋置槽的底面加工若干所述第二通柱及環繞所述第二通柱的第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽的底部與所述鋁硅基板相連；

S13：于所述第一凹槽和所述第二凹槽內填充玻璃漿料并進行燒結；

S14：對所述鋁硅基板的下表面進行減薄拋光處理，直至所述第一凹槽和所述第二凹槽的底部貫通所述鋁硅基板，制得所述鋁硅轉接板。

3.根據權利要求1所述的芯片屏蔽與氣密封裝方法，其特征在于，在所述步驟S4中，激光加工采用波長為355nm的全固態紫外激光。

4.根據權利要求1所述的芯片屏蔽與氣密封裝方法，其特征在于，在所述步驟S5中層壓時，具體為，在真空中進行層壓，層壓溫度為180～220℃，壓強為300psi。

5.根據權利要求1所述的芯片屏蔽與氣密封裝方法，其特征在于，在所述步驟S6中層壓時，具體為，在真空中進行層壓，層壓溫度為180～220℃，壓強為300psi。