[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號: | 202110056619.4 | 申請日: | 2021-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN113345494A | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發明(設計)人: | 須藤直昭 | 申請(專利權)人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/04 | 分類號: | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/30 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋興;黃健 |
| 地址: | 中國臺灣臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,包括:
半導體集成電路,能夠響應來自外部的輸入信號而運行;
測量部件,對從所述半導體裝置進入待機模式的時間點開始的時間進行測量;
檢測部件,檢測所述測量部件的測量時間已到達一定時間的情況;以及
生成部件,當由所述檢測部件檢測到一定時間時,生成用于使所述待機模式的消耗電力進一步降低的省電使能信號。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中
所述省電使能信號被供給至所述半導體集成電路內的特定電路,對所述特定電路的電力供給響應所述省電使能信號而被阻斷。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中
所述半導體集成電路包含基于第一供給電壓來生成第二供給電壓的多個電壓生成電路,
所述多個電壓生成電路能夠在待機模式下運行,所述多個電壓生成電路中的一個電壓生成電路包含所述測量部件、所述檢測部件及所述生成部件。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中
所述半導體集成電路包含在非待機模式時運行的第一電壓生成電路與在待機模式時運行的第二電壓生成電路,
所述第二電壓生成電路包含所述測量部件、所述檢測部件及所述生成部件。
5.根據權利要求3所述的半導體裝置,其中
所述電壓生成電路包括:
第一節點,供給第一供給電壓;
第二節點,將第二供給電壓供給至負載;
連接電路,連接于所述第一節點與所述第二節點之間,響應控制信號而進行所述第一節點與所述第二節點的連接或非連接;
電阻梯,連接于所述第二節點與基準電位之間;
脈沖生成電路,當所述第一節點與所述第二節點為非連接時,基于在所述第二節點與所述基準電位之間生成的電阻電容時間常數來生成脈沖信號;
第一邏輯電路,基于所述脈沖信號來生成所述控制信號;
計數器,對基于所述脈沖信號而生成的時鐘進行計數;以及
第二邏輯電路,基于所述計數器的計數值來生成所述省電使能信號。
6.根據權利要求4所述的半導體裝置,其中
所述第二電壓生成電路的電阻梯的電阻比所述第一電壓生成電路的電阻梯的電阻高。
7.根據權利要求5所述的半導體裝置,其中
所述脈沖生成電路包含第一比較器與第二比較器,并基于所述第一比較器及所述第二比較器的比較結果來生成所述脈沖信號,所述第一比較器對由所述電阻梯所生成的第一電壓與基準電壓進行比較,所述第二比較器對比由所述電阻梯所生成的所述第一電壓小的第二電壓與基準電壓進行比較。
8.根據權利要求5所述的半導體裝置,其中
所述連接電路包含柵極被施加所述控制信號的P溝道金屬氧化物半導體晶體管,
所述第一邏輯電路在經過了以所述電阻電容時間常數所規定的時間時,使所述控制信號遷移至低電平。
9.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中
所述半導體集成電路包含與快閃存儲器相關的電路。
10.根據權利要求9所述的半導體裝置,其中
所述半導體集成電路響應忙碌信號或就緒信號而轉變至待機模式。
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