[發明專利]ONO屏蔽柵的SGT結構及其制造方法

有效

• 申請號: 202110055819.8
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN112382572B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 楊樂;李鐵生;樓穎穎;李恩求;劉琦
• 申請（專利權）人: 龍騰半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786
• 代理公司: 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114
• 代理人: 李罡

1.一種ONO屏蔽柵的SGT結構的制造方法，其特征在于：

所述SGT的屏蔽柵由ONO包圍，所述方法包括以下步驟：

步驟一：在Si襯底片表面生長N型外延層；

步驟二：在外延層表面依次形成薄氧化層、薄氮化硅、厚氧化層，組成硬掩膜；

步驟三：利用溝槽光刻版進行光刻工藝，對溝槽位置曝光，再通過干法刻蝕，將曝光位置刻蝕出深溝槽；

步驟四：利用CVD工藝在深溝槽內填滿硼硅玻璃，并通過回流工藝使表面平坦化；

步驟五：利用干法腐蝕將溝槽內硼硅玻璃腐蝕至溝槽指定位置；

步驟六：進行第二層氮化硅淀積；

步驟七：進行厚氧化層淀積；

步驟八：溝槽內回填源極多晶硅并回刻蝕至溝槽指定位置；

步驟九：使用濕法刻蝕將露出的厚氧化層去除；

步驟十：使用各向同性刻蝕，再次將溝槽內源極多晶硅刻蝕至溝槽指定位置；

步驟十一：使用熱氧化工藝形成源極多晶硅氧化層，同時使硼硅玻璃材料中硼擴散至深溝槽外圍的Si材料中，形成P柱；

步驟十二：使用濕法去除露出的氮氧化物、薄氧化物；

步驟十三：使用熱氧化工藝形成柵極氧化層,回填柵極多晶硅并回刻蝕至溝槽指定位置，形成器件的柵極；然后與常規MOSFET的制程一樣，直到開接觸孔和金屬布線。

2.根據權利要求1所述的ONO屏蔽柵的SGT結構的制造方法，其特征在于：

步驟一中，外延層厚度為5微米至20微米。

3.根據權利要求2所述的ONO屏蔽柵的SGT結構的制造方法，其特征在于：

步驟五中，利用干法腐蝕將溝槽內硼硅玻璃腐蝕至Si表面以下2微米至17微米。

4.根據權利要求3所述的ONO屏蔽柵的SGT結構的制造方法，其特征在于：

步驟六：第二層氮化硅淀積厚度為0.05微米至1微米。

5.根據權利要求4所述的ONO屏蔽柵的SGT結構的制造方法，其特征在于：

步驟七中，厚氧化層淀積厚度為0.1微米至1微米。

6.根據權利要求5所述的ONO屏蔽柵的SGT結構的制造方法，其特征在于：

步驟八中，溝槽內回填源極多晶硅并回刻蝕，回刻蝕深度為1微米至1.5微米。

7.根據權利要求6所述的ONO屏蔽柵的SGT結構的制造方法，其特征在于：

步驟十中，將溝槽內源極多晶硅刻蝕至厚氧化層下0.05微米至0.15微米。

8.一種如權利要求7所述的方法制造的ONO屏蔽柵的SGT結構。