[發(fā)明專利]一種基于MOSFET SOA的低成本熱插拔啟動(dòng)電路及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110055555.6 | 申請(qǐng)日： | 2021-01-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112910429B | 公開（公告）日： | 2023-01-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李穎超;孫輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03F3/45 | 分類號(hào)： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 濟(jì)南誠智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 37105 | 代理人： | 王敏 |
| 地址： | 215100 江蘇省蘇州市吳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 mosfet soa 低成本 熱插拔 啟動(dòng) 電路 方法 | ||
1.一種基于MOSFET SOA的低成本熱插拔啟動(dòng)電路，其特征在于，所述電路包括MOSFETQ、電壓采集模塊、電流采集模塊、控制模塊和驅(qū)動(dòng)電路，所述電壓采集模塊用于采集MOSFETQ漏源極兩端的電壓Vds，所述電流采集模塊用于采集MOSFET Q漏源極的啟動(dòng)電流Isense，所述控制模塊用于接收電壓Vds和啟動(dòng)電流Isense，并控制驅(qū)動(dòng)電路調(diào)整MOSFET Q的柵極電壓；
所述電流采集模塊包括精密電阻Rsense、電阻R1、電阻R2、電容C1、電容C2、電容C5、電容C7和差分運(yùn)放U1,Rsense的一端連接MOSFET Q的漏極和電阻R2的一端，Rsense的另一端連接電阻R1的一端，電阻R1的另一端連接電容C1的一端、電容C5的一端和差分運(yùn)放U1的第一輸入端,電容C1的另一端接地，電阻R2的另一端連接電容C2的一端、電容C5的另一端和差分運(yùn)放U1的第二輸入端,電容C2的另一端接地，差分運(yùn)放U1的輸出端連接控制模塊和電容C7的一端，電容C7的另一端接地；
所述電流采集模塊通過電阻R1和電阻R2采集精密電阻Rsense兩端的電壓Vsense，Vsense經(jīng)開爾文走線輸入差分運(yùn)放U1放大后，輸入到控制模塊；
電容C1、電容C2、電容C5和電容C7用于高頻濾波；
所述電壓采集模塊包括電阻R3、電阻R4、電容C3、電容C4、電容C6、電容C8和差分運(yùn)放U2,R3的一端連接Rsense的另一端，電阻R3的另一端連接電容C3的一端、電容C6的一端和差分運(yùn)放U2的第一輸入端,電容C3的另一端接地，電阻R4的一端連接MOSFET Q的源極，電阻R4的另一端連接電容C4的一端、電容C6的另一端和差分運(yùn)放U2的第二輸入端,電容C4的另一端接地，差分運(yùn)放U2的輸出端連接控制模塊和電容C8的一端，電容C8的另一端接地；
所述電壓采集模塊通過電阻R3和電阻R4采集MOSFET Q漏源極兩端的電壓Vds，Vds經(jīng)開爾文走線輸入差分運(yùn)放U2放大后，輸入到控制模塊；
電容C3、電容C4、電容C6和電容C8用于高頻濾波。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于MOSFET SOA的低成本熱插拔啟動(dòng)電路，其特征在于，所述控制模塊包括BMC，BMC的電流采集端連接差分運(yùn)放U1的輸出端，BMC的電壓采集端連接差分運(yùn)放U2的輸出端；
BMC將Vds轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)MOSFET SOA曲線上的閾值電流Ilimit，將電壓Vsense轉(zhuǎn)換為啟動(dòng)電流Isense，并將閾值電流Ilimit和啟動(dòng)電流Isense進(jìn)行比對(duì)，
當(dāng)IlimitIsense時(shí)，則MOSFET上消耗的功率超過SOA，BMC控制驅(qū)動(dòng)電路降低MOSFET Q的柵極電壓，
當(dāng)IlimitIsense時(shí)，則MOSFET上消耗的功率小于SOA，BMC控制驅(qū)動(dòng)電路增大MOSFET Q的柵極電壓，
當(dāng)Ilimit＝Isense時(shí)，則MOSFET上消耗的功率符合SOA，BMC不對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行控制。
3.一種基于MOSFET SOA的低成本熱插拔啟動(dòng)方法，應(yīng)用于權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述電路，其特征在于，所述方法包括：
BMC通過精密電阻Rsense采集MOSFET Q漏源極的啟動(dòng)電流Isense；
BMC采集MOSFET Q漏源極兩端的電壓Vds；
BMC將Vds對(duì)應(yīng)于MOSFET SOA曲線上的閾值電流Ilimit和啟動(dòng)電流Isense進(jìn)行比對(duì)，并控制驅(qū)動(dòng)電路調(diào)整MOSFET Q的柵極電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于MOSFET SOA的低成本熱插拔啟動(dòng)方法，其特征在于，所述BMC通過精密電阻Rsense采集MOSFET Q漏源極的啟動(dòng)電流Isense，具體為：
通過電阻R1和電阻R2采集精密電阻Rsense兩端的電壓Vsense，Vsense經(jīng)開爾文走線輸入差分運(yùn)放U1放大后，輸入到BMC，BMC將電壓Vsense轉(zhuǎn)換為啟動(dòng)電流Isense。
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