[發明專利]一種超寬帶芯片偏置電路結構有效
| 申請號: | 202110054427.X | 申請日: | 2021-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN112910418B | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發明(設計)人: | 徐躍杭;林支慷;吳韻秋 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | H03F1/02 | 分類號: | H03F1/02;H03F3/193 |
| 代理公司: | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人: | 吳姍霖 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 寬帶 芯片 偏置 電路 結構 | ||
1.一種應用超寬帶芯片偏置電路結構的單級射頻功率放大器,包括輸入負載、輸出負載、輸入匹配網絡、穩定網絡、晶體管、輸出匹配網絡、柵極偏置電路和漏極偏置電路;所述輸入匹配網絡的一端接輸入負載,另一端經穩定網絡串聯晶體管的柵極,晶體管的漏極經輸出匹配網絡接輸出負載,所述柵極偏置電路和漏極偏置電路分別與輸入匹配網絡、輸出匹配網絡并聯;其特征在于,所述柵極偏置電路和漏極偏置電路均包括電流源、等效電感、微帶線、片上去耦電容和螺旋電感,所述電流源的一端接地,另一端經等效電感、微帶線,與輸入匹配網絡或輸出匹配網絡并聯,所述片上去耦電容的一端經螺旋電感接地,另一端連接等效電感和微帶線之間的連接線;所述等效電感為將片外去耦電容連接到MMIC上的鍵合線的等效電感。
2.根據權利要求1所述應用超寬帶芯片偏置電路結構的單級射頻功率放大器,其特征在于,所述柵極偏置電路通過串聯穩定電阻,再并聯輸入匹配網絡。
3.一種應用超寬帶芯片偏置電路結構的分布式放大器,包括輸入負載、輸出負載、柵極人工傳輸線、穩定網絡、至少兩個晶體管、漏極人工傳輸線、柵極偏置電路和漏極偏置電路;所述柵極人工傳輸線的輸入端接輸入負載,輸出端接柵極偏置電路,所述晶體管的柵極經穩定網絡并聯柵極人工傳輸線,漏極并聯漏極人工傳輸線,所述漏極人工傳輸線的輸出端接輸出負載,漏極偏置電路與漏極人工傳輸線并聯或串聯;其特征在于,所述柵極偏置電路和漏極偏置電路均包括電流源、等效電感、微帶線、片上去耦電容和螺旋電感,所述電流源的一端接地,另一端經等效電感、微帶線與柵極或漏極人工傳輸線并聯,所述片上去耦電容的一端經螺旋電感接地,另一端連接等效電感和微帶線之間的連接線;所述等效電感為將片外去耦電容連接到MMIC上的鍵合線的等效電感。
4.一種應用超寬帶芯片偏置電路結構的低噪聲放大器,包括輸入負載、輸出負載、輸入匹配網絡、第一穩定網絡、第二穩定網絡、第一晶體管、第二晶體管、級間匹配網絡、輸出匹配網絡、第一柵極偏置電路、第二柵極偏置電路、第一漏極偏置電路和第二漏極偏置電路;所述輸入匹配網絡的一端接輸入負載,另一端串聯第一晶體管的柵極,第一晶體管的漏極經級間匹配網絡接第二晶體管的柵極,所述第二晶體管的漏極經輸出匹配網絡接輸出負載,所述第一晶體管、第二晶體管的源極分別經第一穩定網絡、第二穩定網絡接地,所述第一柵極偏置電路和第二漏極偏置電路分別與輸入匹配網絡、輸出匹配網絡并聯,第一漏極偏置電路和第二柵極偏置電路與級間匹配網絡并聯;其特征在于,所述第一柵極偏置電路、第二柵極偏置電路、第一漏極偏置電路和第二漏極偏置電路均包括電流源、等效電感、片上去耦電容和螺旋電感,所述電流源的一端接地,另一端經等效電感、螺旋電感與輸入匹配網絡、級間匹配網絡或輸出匹配網絡并聯,所述片上去耦電容的一端經螺旋電感接地,另一端連接等效電感和螺旋電感之間的連接線;所述等效電感為將片外去耦電容連接到MMIC上的鍵合線的等效電感。
5.根據權利要求4所述應用超寬帶芯片偏置電路結構的低噪聲放大器,其特征在于,在第一柵極偏置電路、第二柵極偏置電路、第一漏極偏置電路和第二漏極偏置電路的等效電感和微帶線之間設有穩定電阻。
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