[發(fā)明專利]一種高能型壓敏電阻器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110050562.7
• 申請日: 2021-01-14
• 公開（公告）號: CN112735710A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟凡志;馮守亮;吳圣;蔡德惠
• 申請（專利權(quán)）人: 廣西新未來信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司;廣西同德未來計算機股份有限公司
• 主分類號: H01C7/10
• 分類號: H01C7/10;H01C1/14;H01C1/142
• 代理公司: 北海市佳旺專利代理事務(wù)所(普通合伙) 45115
• 代理人: 黃建中

本發(fā)明公開了一種高能型壓敏電阻器，包括曲面壓敏電阻芯片和設(shè)置在曲面壓敏電阻芯片外的塑料封裝層；所述的曲面壓敏電阻芯片由曲面壓敏電阻瓷體、金屬電極層、焊錫層以及引出電極組成；曲面壓敏電阻瓷體為波浪狀，兩端曲面上設(shè)置有金屬電極層，在一端曲面的其中一處波谷處設(shè)置有焊錫層，另一端曲面的其中一處波谷處設(shè)置有焊錫層，兩個引出電極分別通過焊錫層與曲面壓敏電阻瓷體兩端曲面上的金屬電極層緊密連接，兩個引出電極引出方向相同，引伸出塑料封裝層之外。本發(fā)明在壓敏電阻器有限的長度內(nèi)有效增加兩端曲面電極的面積，從而可以有效提升通流容量和能量耐受能力。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，加工方便，生產(chǎn)效率高，適合大批量工業(yè)化生產(chǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種電子元器件，尤其涉及一種高能型壓敏電阻器，屬于壓敏電阻制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

隨著電子信息技術(shù)的不斷發(fā)展，ZnO壓敏電阻由于其具有優(yōu)異的非線性伏安特性，作為過電壓防護元件，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電器、電子、通信、電力和軍事等領(lǐng)域，人們對ZnO壓敏電阻性能的要求也越來越高。工程師從壓敏電阻本征出發(fā)，開發(fā)出了一系列高性能壓敏電阻的配方和制造方法，這些高性能壓敏電阻的配方及其制造方法極大改善壓敏電阻性能，不斷的滿足各個領(lǐng)域不斷增長的應(yīng)用需求，但是各方面領(lǐng)域應(yīng)用對于壓敏電阻的性能要求也仍然在不斷地提高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種高能型壓敏電阻器，通過采用壓敏電阻兩端曲面以及壓敏電阻兩端面上的金屬電極層曲面設(shè)計，在壓敏電阻器有限的長度內(nèi)有效增加兩端曲面電極的面積，有效提升通流容量和能量耐受能力。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：一種高能型壓敏電阻器，包括曲面壓敏電阻芯片和設(shè)置在曲面壓敏電阻芯片外的塑料封裝層；所述的曲面壓敏電阻芯片由曲面壓敏電阻瓷體、金屬電極層、焊錫層以及引出電極組成；曲面壓敏電阻瓷體為波浪狀，兩端曲面上設(shè)置有金屬電極層，在一端曲面的其中一處波谷處設(shè)置有焊錫層，另一端曲面的其中一處波谷處設(shè)置有焊錫層，兩個引出電極分別通過焊錫層與曲面壓敏電阻瓷體兩端曲面上的金屬電極層緊密連接，兩個引出電極引出方向相同，引伸出塑料封裝層之外。

所述金屬電極層中的金屬電極材料為Ag、Au、Cu、Pb、Al、Ni、Pt金屬電極中的一種。

所述金屬電極層制造工藝是通過磁控濺射電極工藝、金屬電極漿料噴涂后烘干回火工藝、或3D打印金屬電極漿料后烘干回火工藝實現(xiàn)瓷體表面電極化中的一種。

本發(fā)明具有以下優(yōu)點：本發(fā)明采用的是壓敏電阻兩端曲面以及壓敏電阻兩端曲面上的金屬電極層曲面設(shè)計，在壓敏電阻器有限的長度內(nèi)有效增加兩端曲面電極的面積，從而可以有效提升通流容量和能量耐受能力。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，加工方便，生產(chǎn)效率高，適合大批量工業(yè)化生產(chǎn)。

附圖說明

圖1是本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明局部剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明圖1 A-A-A方向剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

上述附圖中的標(biāo)號分別是：塑料封裝層1、引出電極2、焊錫層3、金屬電極層4、曲面壓敏電阻瓷體5。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步描述。

如圖1、圖2和圖3所示，一種高能型壓敏電阻器，包括曲面壓敏電阻芯片和設(shè)置在曲面壓敏電阻芯片外的塑料封裝層1；所述的曲面壓敏電阻芯片是由曲面壓敏電阻瓷體5、金屬電極層4、焊錫層3以及引出電極2組成；曲面壓敏電阻瓷體5為波浪狀，形成多個波峰和波谷，兩端曲面上設(shè)置有金屬電極層4，在一端曲面的其中一處波谷處設(shè)置有焊錫層3，另一端曲面的其中一處波谷處設(shè)置有焊錫層3，兩個引出電極2分別通過焊錫層3與曲面壓敏電阻瓷體5兩端曲面上的金屬電極層4緊密連接，兩個引出電極2引出方向相同，引伸出塑料封裝層1之外。所述金屬電極層4中的金屬電極材料為Ag、Au、Cu、Pb、Al、Ni、Pt金屬電極中的一種。所述金屬電極層4制造工藝是通過磁控濺射電極工藝、金屬電極漿料噴涂后烘干回火工藝、或3D打印金屬電極漿料后烘干回火工藝實現(xiàn)瓷體表面電極化中的一種。