[發明專利]刻蝕量檢測方法和顯示面板母板

有效

• 申請號: 202110050519.0
• 申請日: 2021-01-14
• 公開（公告）號: CN112802770B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發明（設計）人: 馬紅星;李勃;李素華;黃毅;初艷新
• 申請（專利權）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544;H10K59/12
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 段月欣

1.一種刻蝕量檢測方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供顯示面板母板半成品，所述顯示面板母板半成品包括基板以及設置于所述基板上的阻隔柱和測試組件，其中，所述基板具有顯示面板形成區，所述顯示面板形成區包括顯示區、開孔區以及位于所述顯示區和所述開孔區的阻隔區，所述阻隔區圍繞至少部分所述開孔區設置，所述阻隔柱位于所述阻隔區且圍繞所述開孔區設置，所述測試組件位于所述顯示區的外圍區域，所述測試組件包括測試線，所述測試線的長度大于所述開孔區的外周周長，且所述測試線的材料與所述阻隔柱的材料相同；

對所述阻隔柱和所述測試線進行同步側向刻蝕，以使所述阻隔柱形成側向凹部、且使所述測試線形成側向凹部；

檢測所述測試線的電阻值，根據所述電阻值確定所述阻隔柱的刻蝕量。

2.根據權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述提供顯示面板母板半成品的步驟中，所述基板具有多個所述顯示面板形成區和連接于多個所述顯示面板形成區之間的連接區，所述顯示面板形成區還包括圍繞所述顯示區的邊框區，所述外圍區域包括所述邊框區和所述連接區，所述測試組件位于所述邊框區或所述連接區。

3.根據權利要求2所述的檢測方法，其特征在于，所述測試線靠近所述阻隔柱設置。

4.根據權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述提供顯示面板母板半成品的步驟中，所述阻隔柱和所述測試線均為復合金屬層結構，所述復合金屬層結構包括層疊設置的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層，其中所述第一金屬層和所述第三金屬層均為耐刻蝕層，所述第二金屬層為待刻蝕層。

5.根據權利要求4所述的檢測方法，其特征在于，所述第一金屬層包括Ti和/或Mo，所述第二金屬層包括Al，所述第三金屬層包括Ti和/或Mo。

6.根據權利要求1-5任一項所述的檢測方法，其特征在于，所述顯示面板母板半成品滿足如下中的一項以上：

(i)所述基板的所述顯示面板形成區設置有像素電路器件層，所述像素電路器件層包括源漏極層，所述阻隔柱和所述測試線與所述源漏極層在同一制程中形成；

(ii)所述阻隔柱呈閉合環狀；

(iii)在由所述開孔區至所述顯示區的方向上，所述阻隔區設置有多個所述阻隔柱。

7.根據權利要求6所述的檢測方法，其特征在于，所述阻隔柱呈方環狀、圓環狀、類圓環狀、或者其兩種以上的組合。

8.根據權利要求1-5任一項所述的檢測方法，其特征在于，所述提供顯示面板母板半成品的步驟中，所述開孔區的外周周長與所述測試線的長度之比為1:5～1:20。

9.根據權利要求8所述的檢測方法，其特征在于，所述測試線呈蛇形。

10.根據權利要求8所述的檢測方法，其特征在于，所述測試線包括多條平行且相互間隔設置的第一線段，以及將多條所述第一線段串聯電連接的第二線段。

11.根據權利要求10所述的檢測方法，其特征在于，所述第一線段為直線段；和/或，所述第二線段為直線段。

12.根據權利要求10所述的檢測方法，其特征在于，所述測試線滿足如下中的一項以上：

(a)所述第一線段的長度為20μm～30μm；

(b)所述第一線段的線寬為1μm～3μm，且所述第一線段的線寬與所述阻隔柱的寬度相同或不同；

(c)相鄰所述第一線段的線間距為2μm～3μm；

(d)所述第一線段的數量為200～300；

(e)所述第二線段的線寬為1μm～3μm，且所述第二線段的線寬與所述第一線段的線寬相同或不同；

(f)所述第一線段與所述第二線段之間的夾角為80度～100度。