[發(fā)明專利]一種柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110047623.4
• 申請(qǐng)日: 2021-01-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112652697A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張建華;殷錄橋;嵇嘯嘯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L33/62
• 分類號(hào): H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 韓雪梅

1.一種柔性微發(fā)光二極管Micro LED基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)包括：

襯底基板；

導(dǎo)電金屬層，固定在所述襯底基板上，并覆蓋部分所述襯底基板，所述導(dǎo)電金屬層的面積小于所述襯底基板的面積；

平坦化層，覆蓋剩余部分所述襯底基板，且厚度大于所述導(dǎo)電金屬層的厚度，用于填平所述導(dǎo)電金屬層；所述平坦化層對(duì)應(yīng)所述導(dǎo)電金屬層處開(kāi)設(shè)有通孔；

絕緣層，設(shè)置在所述平坦化層上，所述絕緣層對(duì)應(yīng)所述通孔處開(kāi)設(shè)有過(guò)孔；

鍵合金屬層，穿過(guò)所述過(guò)孔以及所述通孔與所述導(dǎo)電金屬層連接，并覆蓋部分所述絕緣層；

發(fā)光二極管LED芯片，設(shè)置在所述鍵合金屬層上，并與所述鍵合金屬層連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)還包括：

鈍化層，設(shè)置在所述絕緣層上，并覆蓋部分所述鍵合金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)還包括：

反射層，設(shè)置在所述鈍化層上，并圍繞所述發(fā)光二極管LED芯片的四周。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電金屬層的材料為銅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述平坦化層的材料為聚酰亞胺。

6.一種柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)的制備方法包括：

在襯底基板上形成導(dǎo)電金屬層；

通過(guò)旋涂工藝在導(dǎo)電金屬層上形成平坦化層；

在平坦化層上沉積絕緣層；

在平坦化層上對(duì)應(yīng)導(dǎo)電金屬層處開(kāi)設(shè)通孔，在絕緣層上對(duì)應(yīng)通孔處開(kāi)設(shè)過(guò)孔，暴露出導(dǎo)電金屬層；

在絕緣層上形成鍵合金屬層，穿過(guò)過(guò)孔以及通孔與導(dǎo)電金屬層連接；

將LED芯片與鍵合金屬層鍵合；

通過(guò)激光剝離的方式將襯底基板剝離。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)的制備方法還包括：

通過(guò)構(gòu)圖工藝在鍵合金屬層上沉積鈍化層，暴露出需與芯片電極鍵合的鍵合金屬層，其余鍵合金屬層被鈍化層覆蓋；

通過(guò)絲網(wǎng)印刷、薄膜沉積或者噴墨打印在鈍化層上形成反射層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述在平坦化層上對(duì)應(yīng)導(dǎo)電金屬層處開(kāi)設(shè)通孔，在絕緣層上對(duì)應(yīng)通孔處開(kāi)設(shè)過(guò)孔，暴露出導(dǎo)電金屬層，具體包括：

在所述絕緣層和所述平坦化層上形成光刻膠圖形；

對(duì)所述絕緣層和所述平坦化層進(jìn)行光刻，通過(guò)干法刻蝕或濕法腐蝕去除所述部分絕緣層；

通過(guò)激光刻蝕去除部分所述平坦化層；

形成面積小于或等于導(dǎo)電金屬層面積的通孔，最后去除光刻膠。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述在絕緣層上形成鍵合金屬層，穿過(guò)過(guò)孔以及通孔與導(dǎo)電金屬層連接，具體包括：

在所述絕緣層上形成負(fù)性光刻膠圖形；

沉積種子層；

通過(guò)電鍍或者化學(xué)鍍膜工藝將鍵合金屬層與導(dǎo)電金屬層連接；

采用藍(lán)膜將光刻膠上的金屬剝離，去除光刻膠。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性Micro LED基板結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述在絕緣層上形成鍵合金屬層，穿過(guò)過(guò)孔以及通孔與導(dǎo)電金屬層連接，具體包括：

在所述絕緣層上沉積種子層；

通過(guò)電鍍或者化學(xué)鍍膜工藝將鍵合金屬層與導(dǎo)電金屬層連接；

在鍵合金屬層上形成光刻膠圖形；

對(duì)所述鍵合金屬層進(jìn)行光刻，通過(guò)干法刻蝕或者濕法腐蝕的方式將多余金屬去除，最后去除光刻膠。