[發明專利]一種半導體硅錠的防破碎激光切割抓取裝置在審
| 申請號: | 202110044199.8 | 申請日: | 2021-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN112676714A | 公開(公告)日: | 2021-04-20 |
| 發明(設計)人: | 左英花 | 申請(專利權)人: | 上海墜雪電子科技有限公司 |
| 主分類號: | B23K26/38 | 分類號: | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70;B28D5/00;B28D7/02;B28D7/00 |
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| 地址: | 201600*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 破碎 激光 切割 抓取 裝置 | ||
本發明公開的一種半導體硅錠的防破碎激光切割抓取裝置,包括工作箱體,所述工作箱體內設有傳動腔,所述傳動腔下側內壁上固定設有電機,所述電機上端動力連接設有動力軸,本發明通過液壓桿的往復運動,利用氣壓對切割完畢的硅片進行抓取,有效避免了厚度較薄的硅片在機械抓取中造成的脆性破裂,并且本裝置能夠連續作業,在液壓桿的往復運動過程中,對切割抓取的硅片進行轉移并放置在輸送帶上,在硅錠的激光切割過程中,對其切割位置進行吹風,即降低了切割溫度,又對切割殘渣進行了收集,本裝置機構緊湊,能夠有效提高硅錠的加工效率以及硅片的轉移穩定性。
技術領域
本發明涉及半導體領域,具體為一種半導體硅錠的防破碎激光切割抓取裝置。
背景技術
半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料,其中,硅是一種應用最廣泛的半導體材料。
在半導體的加工過程中,需要將硅錠切割成一定厚度的硅片,由于硅片材質較脆,傳統的機械抓取裝置易造成硅片的脆性破裂,人工手動切割的方式則過于費時費力,生產效率低。本發明闡述的,能夠解決上述問題。
發明內容
技術問題:
傳統的機械抓取裝置易造成硅片的脆性破裂,人工手動切割的方式過于費時費力,生產效率低。
為解決上述問題,本例設計了一種半導體硅錠的防破碎激光切割抓取裝置,本例的一種半導體硅錠的防破碎激光切割抓取裝置,包括工作箱體,所述工作箱體內設有傳動腔,所述傳動腔下側內壁上固定設有電機,所述電機上端動力連接設有動力軸,所述傳動腔內設有切割裝置,所述切割裝置包括設置在所述工作箱體內且下側內壁與所述傳動腔上側內壁貫通的工作腔,所述動力軸上端面上固定設有與所述傳動腔上側內壁以及所述工作腔下側內壁轉動連接的平衡箱,所述平衡箱內設有開口向上的平衡腔,所述平衡腔內上下滑動設有平衡板,所述平衡板下端面與所述平衡腔下側內壁之間固定設有平衡彈簧,所述平衡板上放置設有硅錠,所述工作箱體內設有第一氣壓腔,所述第一氣壓腔內設有抓取裝置,所述抓取裝置包括上下滑動設置在所述第一氣壓腔內的第一活塞板,所述第一活塞板上端面與所述第一氣壓腔上側內壁之間固定設有第一彈簧,所述第一活塞板上端面上固定設有與所述第一氣壓腔上側內壁以及所述工作腔下側內壁上下滑動連接的第一推桿,所述工作箱體內設有第二氣壓腔,所述第二氣壓腔內設有限位裝置,所述限位裝置包括上下滑動設置在所述第二氣壓腔內的第二活塞板,所述第二活塞板上端面與所述第二氣壓腔上側內壁之間固定設有第二彈簧,所述第二活塞板上端面上固定設有與所述第二氣壓腔上側內壁以及所述工作腔下側內壁上下滑動連接的第二推桿,所述工作腔上側內壁內嵌入設有液壓缸,所述液壓缸下端動力連接設有液壓桿,所述液壓桿下側設有轉移裝置,所述轉移裝置包括固定設置在所述液壓桿下端面上的從動板,所述從動板下端面上轉動設有翻轉軸,所述翻轉軸左右側端面上左右對稱且固定設有固定銷,所述固定銷遠離所述翻轉軸側端面上固定設有限位塊,所述從動板下側設有轉移箱,所述轉移箱上下側端面之間貫通設有行程腔,所述行程腔內關于所述翻轉軸左右對稱設有兩個滑腔,兩個所述限位塊分別在對應側所述滑腔內上下滑動,所述限位塊下端面與所述滑腔下側內壁之間固定設有第三彈簧,所述滑腔靠近所述翻轉軸側內壁與所述行程腔對應側內壁之間貫通設有供所述固定銷上下滑動的滑槽。
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