[發明專利]一種采用高分子材料制備微米級或亞微米級填料的方法在審
| 申請號: | 202110038920.2 | 申請日: | 2021-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN114750331A | 公開(公告)日: | 2022-07-15 |
| 發明(設計)人: | 別大奎 | 申請(專利權)人: | 上海芯密科技有限公司 |
| 主分類號: | B29B17/00 | 分類號: | B29B17/00;B29B17/04 |
| 代理公司: | 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙) 31297 | 代理人: | 劉穎 |
| 地址: | 201306 上海市浦東新區中國(上海)自*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 采用 高分子材料 制備 微米 填料 方法 | ||
1.一種采用高分子材料制備微米級或亞微米級填料的方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一、將回收高分子材料清理后切分為小塊,再浸沒在表面活性劑中攪拌,取出后浸泡在液氮中,取出后在壓機作用下碾壓為高分子顆粒;
步驟二、將高分子顆粒加入球磨機中進行一次研磨,將研磨后高分子顆粒浸沒在去離子水中進行超聲處理,即得微米級高分子顆粒;
步驟三、將微米級高分子顆粒加入球磨機中進行二次研磨,將研磨后的高分子顆粒水洗后再加入去離子水中冷凍成固體,升華除去水分,即得微米級或亞微米級填料。
2.根據權利要求1所述的一種采用高分子材料制備微米級或亞微米級填料的方法,其特征在于:所述回收高分子材料的熔融加工溫度與熔點的差值為10~40℃。
3.根據權利要求2所述的一種采用高分子材料制備微米級或亞微米級填料的方法,其特征在于:所述步驟一中回收高分子材料的熔融加工溫度與熔點的差值為10~30℃。
4.根據權利要求1~3任一項所述的一種采用高分子材料制備微米級或亞微米級填料的方法,其特征在于:所述步驟一中切分的具體操作為:將回收高分子材料的表面清理干凈,放入冰水中切分為毫米級的小塊;所述步驟一中高分子顆粒為毫米級顆粒。
5.根據權利要求1~3任一項所述的一種采用高分子材料制備微米級或亞微米級填料的方法,其特征在于:所述步驟一中表面活性劑為陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、非離子型表面活性劑、兩性表面活性劑中的至少一種。
6.根據權利要求1~3任一項所述的一種采用高分子材料制備微米級或亞微米級填料的方法,其特征在于:所述步驟一中小塊在液氮中浸泡時間≥3min。
7.根據權利要求1所述的一種采用高分子材料制備微米級或亞微米級填料的方法,其特征在于:所述步驟二中一次研磨具體操作為:將高分子顆粒和干冰放入球磨機中進行研磨,即得。
8.根據權利要求1或7所述的一種采用高分子材料制備微米級或亞微米級填料的方法,其特征在于:所述步驟二中超聲處理的超聲波頻率≥40kHz。
9.根據權利要求1所述的一種采用高分子材料制備微米級或亞微米級填料的方法,其特征在于:所述步驟二和步驟三的研磨時間均≥20min,所述步驟三中冷凍時間為1~10min。
10.根據權利要求1或9所述的一種采用高分子材料制備微米級或亞微米級填料的方法,其特征在于:所述步驟二和步驟三的研磨時間均≥30min,所述步驟三中冷凍時間為1~5min。
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