[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110035145.5
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN113053857A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭安皓;郭舫廷;陳彥羽
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L49/02;H01L23/522
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

第一互連層，設(shè)置在襯底上，其中，所述第一互連層包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

電容器結(jié)構(gòu)，形成在所述第一互連層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上，其中，所述電容器結(jié)構(gòu)包括：

第一電極雙層，包括第一層和第二層，所述第一層和所述第二層的每個包括不同的氮濃度；

介電層，設(shè)置在所述第一電極雙層的所述第二層上；和

第二電極雙層，位于所述介電層上，所述第二電極雙層包括第三層和第四層，所述第三層和所述第四層的每個包括不同的氮濃度；以及

第二互連層，位于所述電容器結(jié)構(gòu)上，其中，所述第二互連層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述第二電極雙層的所述第四層接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第二電極雙層的所述第三層與所述介電層接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一層的氮濃度低于所述第二層的氮濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第四層的氮濃度低于所述第三層的氮濃度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一層比所述第二層厚。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第四層比所述第三層厚。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一電極雙層和所述第二電極雙層具有相似的表面積。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

覆蓋層，設(shè)置在所述第四層的頂面上；以及

堆疊件，覆蓋所述覆蓋層的頂面和所述電容器結(jié)構(gòu)的側(cè)壁表面。

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

第一互連層，設(shè)置在襯底上；

電容器結(jié)構(gòu)，形成在所述第一互連層上，其中，所述電容器結(jié)構(gòu)包括：

第一電極雙層，包括第一層和第二層，所述第一層和所述第二層的每個包括不同的氮濃度；和

第二電極雙層，包括第三層和第四層，所述第三層和所述第四層的每個包括不同的氮濃度，其中，所述第一電極雙層和所述第二電極雙層具有非重疊區(qū)域；以及

第二互連層，位于所述電容器結(jié)構(gòu)上。

10.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在襯底上形成第一互連層；

在所述第一互連層上沉積第一電極雙層，其中，所述第一電極雙層包括具有不同氮濃度的第一層和第二層；

在所述第一電極雙層上沉積介電層，使得所述介電層與所述第二層接觸；

在所述第一互連層上沉積第二電極雙層，其中，所述第二電極雙層包括具有不同氮濃度的第三層和第四層；

圖案化所述第一電極雙層、所述介電層和所述第二電極雙層，以在所述第一互連層上形成電容器結(jié)構(gòu)；以及

在所述電容器結(jié)構(gòu)上形成第二互連層，其中，所述第二互連層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述第二電極雙層接觸。